在SiC功率元器件技術開發(fā)方面，始終保持著業(yè)界先進地位。其中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間，并實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻。在車載逆變器中采用該產(chǎn)品時，與使用IGBT時相比，電耗可以減少6%（按國際標準“WLTC燃料消耗量測試”計算），非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程。

為日益普及的EV提供了大量的產(chǎn)品，在該領域擁有驕人的市場業(yè)績。

此次，為了進一步提高逆變器的性能，日立安斯泰莫首次在主驅逆變器的電路中采用了SiC功率器件，并計劃從2025年起，依次向包括日本汽車制造商在內的全球汽車制造商供應相應的逆變器產(chǎn)品。

精密中等帶寬的主要特性：

優(yōu)化信號鏈分辨率和增益，無論振幅大小，都能在傳感器帶寬的最寬范圍內，提供所需的16位至24位精度

可靈活調整噪聲性能、信號帶寬和功率的優(yōu)先級，通過簡單的軟件更新即可復用電路的優(yōu)選布局和多個用例

更高通道密度選項，能夠將精度測量擴展到分布式或集中式多通道數(shù)場景

作為高準確度6軸MEMS IMU，LSM6DSV16X內置一個3軸低噪聲加速度計和一個3軸陀螺儀，測量準確度優(yōu)異，采用工業(yè)標準尺寸，集成新的I3C接口。兩種結構在回流焊后保持高穩(wěn)定性，避免了設備廠商在生產(chǎn)線上重新校準IMU ，并保證傳感器性能。

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