串行EEPROM放大器的優(yōu)越性能和可選擇的電流電源輸出
發(fā)布時(shí)間:2023/2/3 23:22:09 訪問次數(shù):86
串行EEPROM ，旨在為設(shè)計(jì)人員提供運(yùn)行速度快、寫入時(shí)間短的低電流器件，使用戶能更快、更有效地獲得大量數(shù)據(jù)。
新器件采用MSOP等小型超薄封裝，適用于對(duì)板面積要求苛刻的各類應(yīng)用。此外，新器件也有采用TSSOP、PDIP和SOIC等的標(biāo)準(zhǔn)封裝。
25XX080A/B和25XX160A/B 串行EEPROM備有兩種電壓范圍，其中“AA”型（如25AA080B）為1.8-5.5伏，“LC”型（如 25LC080B ）為2.5-5.5伏。其溫度范圍也有兩種：工業(yè)溫度范圍 (即-40°C到+85°C) 及擴(kuò)展溫度范圍 (即-40°C 到+125°C) 。
NBLVEP16VR在模塊設(shè)計(jì)上具無可比擬的靈活性，既接收低電壓正射極耦合邏輯（LVPECL）也接收負(fù)射極耦合邏輯，工作電壓有2.5伏（V）、3.3V和5V。
NBLVEP16VR在任何主要的VCXO、TCXO和SAW應(yīng)用中，作為緩沖器和放大器優(yōu)于其他產(chǎn)品。這放大器的優(yōu)越性能和可選擇的電流電源輸出，是市場上高性能振蕩器應(yīng)用中最好的接收器/驅(qū)動(dòng)器。
新型的P信道器件可向從事節(jié)省占位面積應(yīng)用研發(fā)的設(shè)計(jì)人員提供超小型和業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝高性能功率控制能力。型號(hào)為PMN50XP的首個(gè)P通道MOSFET器件具有20伏電壓和50毫歐姆電阻，并采用2.9毫米X 1.5毫米TSOP6封裝，以小型封裝向設(shè)計(jì)人員提供成本經(jīng)濟(jì)型電源管理的最佳方案。
特殊應(yīng)用包括在高速電信、網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)測試設(shè)備中用于壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）和表面聲波（SAW）等模塊的緩沖器/ 放大器。NBLVEP16VR在定時(shí)模塊中作為有源器件，具三個(gè)基本性能。首先該器件能放大差動(dòng)反饋環(huán)路，可選擇4毫安（mA）或8mA自偏置電流電源。
串行EEPROM ，旨在為設(shè)計(jì)人員提供運(yùn)行速度快、寫入時(shí)間短的低電流器件，使用戶能更快、更有效地獲得大量數(shù)據(jù)。
新器件采用MSOP等小型超薄封裝，適用于對(duì)板面積要求苛刻的各類應(yīng)用。此外，新器件也有采用TSSOP、PDIP和SOIC等的標(biāo)準(zhǔn)封裝。
25XX080A/B和25XX160A/B 串行EEPROM備有兩種電壓范圍，其中“AA”型（如25AA080B）為1.8-5.5伏，“LC”型（如 25LC080B ）為2.5-5.5伏。其溫度范圍也有兩種：工業(yè)溫度范圍 (即-40°C到+85°C) 及擴(kuò)展溫度范圍 (即-40°C 到+125°C) 。
NBLVEP16VR在模塊設(shè)計(jì)上具無可比擬的靈活性，既接收低電壓正射極耦合邏輯（LVPECL）也接收負(fù)射極耦合邏輯，工作電壓有2.5伏（V）、3.3V和5V。
NBLVEP16VR在任何主要的VCXO、TCXO和SAW應(yīng)用中，作為緩沖器和放大器優(yōu)于其他產(chǎn)品。這放大器的優(yōu)越性能和可選擇的電流電源輸出，是市場上高性能振蕩器應(yīng)用中最好的接收器/驅(qū)動(dòng)器。
新型的P信道器件可向從事節(jié)省占位面積應(yīng)用研發(fā)的設(shè)計(jì)人員提供超小型和業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝高性能功率控制能力。型號(hào)為PMN50XP的首個(gè)P通道MOSFET器件具有20伏電壓和50毫歐姆電阻，并采用2.9毫米X 1.5毫米TSOP6封裝，以小型封裝向設(shè)計(jì)人員提供成本經(jīng)濟(jì)型電源管理的最佳方案。
特殊應(yīng)用包括在高速電信、網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)測試設(shè)備中用于壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）和表面聲波（SAW）等模塊的緩沖器/ 放大器。NBLVEP16VR在定時(shí)模塊中作為有源器件，具三個(gè)基本性能。首先該器件能放大差動(dòng)反饋環(huán)路，可選擇4毫安（mA）或8mA自偏置電流電源。
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