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使用Camera Link連接器上串口接口輕松地配置并控制攝像頭

發(fā)布時間:2023/2/5 20:09:15 訪問次數(shù):374

PXI接口的圖像采集模塊,用于Camera Link攝像頭。有了這一模塊,工程師和科學家們可以使用Camera Link攝像頭完成高速度、高分辨率的機器視覺和圖像采集應用,例如在PXI平臺上進行粒子測速、工業(yè)檢測和精密運動導向(precision motion guidance)等。

NI PXI-1428圖像采集模塊可與各種base configuration的Camera Link攝像頭連接使用。該模塊的特點在于可用于高速圖像采集的32 MB圖像緩沖,還有用來控制照相燈光并與其他自動化設備進行通訊的高級觸發(fā)功能。

配合使用NI-IMAQ軟件和 NI Measurement & Automation Explorer (MAX) 配置軟件,工程師們可以使用Camera Link連接器上的串口接口輕松地配置并控制攝像頭。

兩款用于時鐘卡設計的新型數(shù)字鎖相環(huán)(DPLL)芯片,為包括H.110和Advanced TCA(高級電信計算架構)在內的專有和標準化網(wǎng)絡系統(tǒng)架構提供電信級的可靠性和性能。

ZL30102和ZL30105產(chǎn)品面向活躍的高成長網(wǎng)絡設備市場,包括DSLAM(數(shù)字用戶線接入多路復用器)、無線基站、VoIP 路由器和網(wǎng)關,以及插分多路復用器、交叉連接和 PBX。

0.13μm工藝16M位小功率SRAM(沒有ECC電路*3)相比,軟錯誤率大約減小了4個數(shù)位,這是通過在每個存儲單元的存儲節(jié)點*5上使用DRAM單元中使用的那種圓柱電容器*4來實現(xiàn)的。

α射線輻射實驗證實,這種產(chǎn)品首次實現(xiàn)了SRAM中沒有由軟錯誤引起的位錯誤。

軟錯誤容錯率問題這一常規(guī)SRAM存在的基本問題,已經(jīng)得到解決,可以實現(xiàn)更高可靠性、更高密度的SRAM。

在業(yè)界0.15μm工藝SRAM產(chǎn)品中,它具有最小的存儲器元件尺寸。

通過將使用TFT*6的SRAM單元與DRAM電容器組合起來,開發(fā)出的新型單元,在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中,具有最小的存儲器元件尺寸:0.98μm2。其單元尺寸,基于CMOS 0.15μm工藝的SRAM小一半多。它可以大大減小芯片尺寸、使移動設備更小巧。

csh.51dzw.com

I接口的圖像采集模塊,用于Camera Link攝像頭。有了這一模塊,工程師和科學家們可以使用Camera Link攝像頭完成高速度、高分辨率的機器視覺和圖像采集應用,例如在I平臺上進行粒子測速、工業(yè)檢測和精密運動導向(precision motion guidance)等。

NI I-1428圖像采集模塊可與各種base configuration的Camera Link攝像頭連接使用。該模塊的特點在于可用于高速圖像采集的32 MB圖像緩沖,還有用來控制照相燈光并與其他自動化設備進行通訊的高級觸發(fā)功能。

配合使用NI-IMAQ軟件和 NI Measurement & Automation Explorer (MAX) 配置軟件,工程師們可以使用Camera Link連接器上的串口接口輕松地配置并控制攝像頭。

兩款用于時鐘卡設計的新型數(shù)字鎖相環(huán)(DPLL)芯片,為包括H.110和Advanced TCA(高級電信計算架構)在內的專有和標準化網(wǎng)絡系統(tǒng)架構提供電信級的可靠性和性能。

ZL30102和ZL30105產(chǎn)品面向活躍的高成長網(wǎng)絡設備市場,包括DSLAM(數(shù)字用戶線接入多路復用器)、無線基站、VoIP 路由器和網(wǎng)關,以及插分多路復用器、交叉連接和 PBX。

0.13μm工藝16M位小功率SRAM(沒有ECC電路*3)相比,軟錯誤率大約減小了4個數(shù)位,這是通過在每個存儲單元的存儲節(jié)點*5上使用DRAM單元中使用的那種圓柱電容器*4來實現(xiàn)的。

α射線輻射實驗證實,這種產(chǎn)品首次實現(xiàn)了SRAM中沒有由軟錯誤引起的位錯誤。

軟錯誤容錯率問題這一常規(guī)SRAM存在的基本問題,已經(jīng)得到解決,可以實現(xiàn)更高可靠性、更高密度的SRAM。

在業(yè)界0.15μm工藝SRAM產(chǎn)品中,它具有最小的存儲器元件尺寸。

通過將使用TFT*6的SRAM單元與DRAM電容器組合起來,開發(fā)出的新型單元,在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中,具有最小的存儲器元件尺寸:0.98μm2。其單元尺寸,基于CMOS 0.15μm工藝的SRAM小一半多。它可以大大減小芯片尺寸、使移動設備更小巧。

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