ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列，新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小67%，能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測(cè)試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對(duì)調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。

ESDALCxx-1U2系列產(chǎn)品采用節(jié)省空間的ST0201封裝，占板面積為0.18mm2。在手機(jī)、GPS接收器和MP3播放器等便攜產(chǎn)品中，電路板需要提供空間安裝必要的保護(hù)器件，ESDALCxx-1U2系列微型電路保護(hù)器件大幅度降低對(duì)電路板空間的需求。

由于0.3x0.6 mm的尺寸匹配工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的0201微型貼裝無(wú)源器件外廓，電路板設(shè)計(jì)人員可以從現(xiàn)有的CAD組件庫(kù)中快速選擇最佳的焊盤布局。

新型20V和30V的p溝道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。器件采用SO-8封裝，具有±20V柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

現(xiàn)有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至24毫歐，而Vishay的Si7633DP具有3.3m毫歐（10V下）及5.5毫歐（4.5V下）的超低導(dǎo)通電阻。這些值比最接近的同類30V器件低27%（10V下）和28% （4.5V下），比最接近的同類25V SO-8器件分別低 28%和15%。30V Si7135DP的導(dǎo)通電阻為3.9毫歐（10V下）和6.2毫歐（4.5V下），比最接近的同類器件分別低13%和19.5% 。

兩款MOSFET均采用PowerPAK SO-8封裝，可容許比其他SO-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。

用戶定義的電流限制級(jí)別可防止輸入電源電壓受到可能導(dǎo)致系統(tǒng)故障的過(guò)高負(fù)載電流的影響。為標(biāo)記電流故障，如果該器件在電流限制條件下運(yùn)行，CL針腳便會(huì)降低。

在關(guān)斷模式下，SiP4613A/B可將電源電流降至1μA以下。除電流限制外，SiP4613A/B還具有欠壓鎖定和熱關(guān)斷保護(hù)功能。通過(guò)在芯片結(jié)溫達(dá)到+165℃時(shí)關(guān)閉電源開關(guān)，并在此溫度降至+145℃以下前一直使電源開關(guān)保持關(guān)閉狀態(tài)，過(guò)溫保護(hù)電路可防止熱失控故障。

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