三極管光控照明電路的元器件連接關(guān)系及檢測方法,對該電路的獨闕可設(shè)暨兩種狀態(tài):

用手電筒或照明燈照射光敏電阻,同時用萬用表檢測V1三極臀基極電壓和m集電極電壓,并觀察LED。

絕緣柵型場效應(yīng)晶體管(MOSFET)簡稱MOS場效應(yīng)晶體管,由金屬、氧化物、半導體材料制成,因其柵極與其他電極完全絕緣而得名。

絕緣柵型場效應(yīng)晶體管除有n溝道和P溝道之分外,還可分別根據(jù)工作方式的不同分為增強型與耗盡型。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的外形特點及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

當V1基極電壓%小于t`be+咣時,Vl、V2截止,Vz集電極為0V,LED不發(fā)光。

用物體尷住光敬電阻時,檢瀏V1基極電壓和V2集電極電壓并觀察LnD。此時,ub≥ube+ue,V1、V2飽和導通,V2集電極為6V,LED發(fā)光。

場效應(yīng)晶體管的種類特點,場效應(yīng)晶體管(Field-E熊ct Transistor)簡稱FET,是一種典型的電壓控制型半導體器件。場效應(yīng)晶體管是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點,容易被靜電擊穿。

電子產(chǎn)品電路板上的場效應(yīng)晶體管,典型電子產(chǎn)品電路板上的場效應(yīng)晶體管,場效應(yīng)晶體管有三只引腳,分別為漏極(D)、源極(s)、柵極(G)。

結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)是在一塊N型(或P型)半導體材料兩邊制作P型(或N型)區(qū)形成PN結(jié)所構(gòu)成的,根據(jù)導電溝道的不同可分為N溝道和P溝道兩種,結(jié)型場效應(yīng)晶體管的外形特點及內(nèi)部結(jié)構(gòu).