轉(zhuǎn)速負(fù)反饋有靜差調(diào)速系統(tǒng),放大器的放大倍數(shù)為Kp則:σc觸發(fā)器和晶間管整流裝置放大倍數(shù)為氏rσd。

電樞回路電壓方程式為:E=σd-rdRΣ

式中,RΣ為電動(dòng)機(jī)電樞電阻、電刷電阻等電阻之和。

電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速為:

j=~1~E=KmECc9

在反饋環(huán)節(jié)中:

u=αnn

由上述分析得,轉(zhuǎn)速負(fù)反饋有靜差調(diào)速系統(tǒng)的靜特性方程式為l=KpΔJ

這種變頻裝置需要使用大量的晶閘管元件,而且輸出電壓的頻率一般只能是電網(wǎng)頻率的1/3~1/2或更低,所以這種方法只適用于低速、大容量的交流電力拖動(dòng)系統(tǒng)。

ISSI IS2xES eMMC閃存驅(qū)動(dòng)器集成有多階存儲(chǔ)單元 (MLC) NAND內(nèi)存和智能嵌入式多媒體可(eMMC)控制器，還提供一個(gè)連接主機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)接口。

這些eMMC閃存驅(qū)動(dòng)器可實(shí)施諸多功能，如壞塊管理、錯(cuò)誤處理（錯(cuò)誤校正碼）、靜態(tài)和動(dòng)態(tài)均衡抹除、每秒輸入/輸出操作（IOPS）優(yōu)化以及讀取檢測(cè)。

這些閃存驅(qū)動(dòng)器均采用工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，有100球焊球陣列封裝(BGA)和153球BGA兩種封裝，并集成有管理型NAND閃存。

開關(guān)穩(wěn)壓器2,981板上安裝溫度傳感器6,687ESD抑制器/TVS 二極管13,958ESD抑制器/TVS二極管45,231固定電感器2,088二極管 - 通用，功率，開關(guān)812,635ESD抑制器/TVS二極管58,628鐵氧體電纜芯9,339支架與墊片224LCD字符顯示模塊與配件76.