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IBC電池需要Si材料的少數(shù)載流子擴(kuò)散長度遠(yuǎn)大于Si片厚度

發(fā)布時(shí)間:2023/7/26 12:05:04 訪問次數(shù):51

整合觸控感測器的觸控面板新技術(shù),還包括on-Cell和in-Cell等等。其中,on-Cell是將觸控感測器整合到顯示器面板上,in-Cell則是將觸控感測器整合到彩色濾光片。

這類技術(shù)的首選將會(huì)是顯示器面板制造商,因?yàn)樗鼈儗⒂心芰Τ浞掷闷滹@示器與觸控產(chǎn)能,而觸控面板也將不再有自己的基板。

Touch on Lens觸摸技術(shù)減少了投射式電容觸控面板的結(jié)構(gòu)層。有些觸控模組廠商早就開始提供這種結(jié)構(gòu)的觸控面板產(chǎn)品,才開始要求更輕更薄更有成本競爭力的觸控面板產(chǎn)品。

晶體硅電池的研發(fā)重點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)低成本下的高效率。提高硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率的主要途徑包括:

減少電池表面柵線遮光率,以增加電池的有效受光面積;

制備良好的絨面和減反射膜以降低電池表面光反射損失;

在電池背面形成良好的背電場,以降低背表面的復(fù)合速率;

采用高的發(fā)射極方塊電阻,以提高電池的短波長光譜響應(yīng);

晶體硅電池已占據(jù)了太陽能電池發(fā)展和市場的主導(dǎo)地位,其制備技術(shù)代表著整個(gè)光伏電池工業(yè)的制備技術(shù)水平,將持續(xù)這種優(yōu)勢地位。

IBC電池的實(shí)驗(yàn)室最高效率達(dá)到了24.2%,產(chǎn)業(yè)化電池效率在22%左右。由于電池發(fā)電的P-N結(jié)位于電池背面,IBC電池需要Si材料的少數(shù)載流子擴(kuò)散長度遠(yuǎn)大于Si片厚度。高質(zhì)量Si襯底要求及復(fù)雜制備工藝,使產(chǎn)業(yè)化的IBC電池的制備成本很高。

HIT電池實(shí)驗(yàn)室最高效率達(dá)到了24.7%,規(guī);a(chǎn)效率在 21%左右。

由于HIT電池制備工藝及設(shè)備與普通的P-型Si太陽能電池的生產(chǎn)不相兼容,處理工藝過程復(fù)雜,與IBC電池一樣具有高的制備成本。


整合觸控感測器的觸控面板新技術(shù),還包括on-Cell和in-Cell等等。其中,on-Cell是將觸控感測器整合到顯示器面板上,in-Cell則是將觸控感測器整合到彩色濾光片。

這類技術(shù)的首選將會(huì)是顯示器面板制造商,因?yàn)樗鼈儗⒂心芰Τ浞掷闷滹@示器與觸控產(chǎn)能,而觸控面板也將不再有自己的基板。

Touch on Lens觸摸技術(shù)減少了投射式電容觸控面板的結(jié)構(gòu)層。有些觸控模組廠商早就開始提供這種結(jié)構(gòu)的觸控面板產(chǎn)品,才開始要求更輕更薄更有成本競爭力的觸控面板產(chǎn)品。

晶體硅電池的研發(fā)重點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)低成本下的高效率。提高硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率的主要途徑包括:

減少電池表面柵線遮光率,以增加電池的有效受光面積;

制備良好的絨面和減反射膜以降低電池表面光反射損失;

在電池背面形成良好的背電場,以降低背表面的復(fù)合速率;

采用高的發(fā)射極方塊電阻,以提高電池的短波長光譜響應(yīng);

晶體硅電池已占據(jù)了太陽能電池發(fā)展和市場的主導(dǎo)地位,其制備技術(shù)代表著整個(gè)光伏電池工業(yè)的制備技術(shù)水平,將持續(xù)這種優(yōu)勢地位。

IBC電池的實(shí)驗(yàn)室最高效率達(dá)到了24.2%,產(chǎn)業(yè)化電池效率在22%左右。由于電池發(fā)電的P-N結(jié)位于電池背面,IBC電池需要Si材料的少數(shù)載流子擴(kuò)散長度遠(yuǎn)大于Si片厚度。高質(zhì)量Si襯底要求及復(fù)雜制備工藝,使產(chǎn)業(yè)化的IBC電池的制備成本很高。

HIT電池實(shí)驗(yàn)室最高效率達(dá)到了24.7%,規(guī);a(chǎn)效率在 21%左右。

由于HIT電池制備工藝及設(shè)備與普通的P-型Si太陽能電池的生產(chǎn)不相兼容,處理工藝過程復(fù)雜,與IBC電池一樣具有高的制備成本。


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