電池厚度0.3毫米采用將薄膜電池夾在樹(shù)脂膠片中固定形式
發(fā)布時(shí)間:2023/7/30 21:31:15 訪問(wèn)次數(shù):87
這種pMTJ記憶體單元采用氧化鎂/鈷鐵硼(MgO/CoFeB)堆疊，可在完全整合后達(dá)到180%的穿隧磁阻值。離子束蝕刻技術(shù)用于降低至低于1ppm的短路故障;有趣的是看到離子束蝕刻技術(shù)對(duì)于生產(chǎn)吞吐量的影響。此外，嵌入式MRAM巨集具有側(cè)面感應(yīng)邊界限制，資訊儲(chǔ)存在攝氏85度下可保留達(dá)10年。
針對(duì)低功耗微控制器(MCU)和SoC進(jìn)行選擇的過(guò)程,因?yàn)樗鼈兙哂星袚Q和保留資料能力。
4Gbit STT-MRAM。其發(fā)展是根據(jù)面積為9F2的記憶體單元，十分接近于DRAM記憶體的尺寸。該設(shè)計(jì)針對(duì)高隧電阻比而最佳化其pMTJ，因而需要低開(kāi)關(guān)電流。
此外，研究團(tuán)隊(duì)也將介紹克服與制程有關(guān)缺陷導(dǎo)致寫(xiě)入錯(cuò)誤的各種技術(shù)。
在MEMS傳感器、模擬器件和微控制器技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，即使用低功耗的ISM射頻收發(fā)器建立中遠(yuǎn)距離無(wú)線連接，支持新興的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，SPIRIT1低功耗sub-1GHz射頻收發(fā)器芯片，目前市場(chǎng)在售的很多產(chǎn)品都有這款芯片。現(xiàn)在通過(guò)與Sigfox合作，我們正在開(kāi)創(chuàng)物聯(lián)網(wǎng)ISM射頻技術(shù)新紀(jì)元，將電池使用壽命從幾個(gè)月延長(zhǎng)到十余年,同時(shí)保持無(wú)線連接的可靠性和穩(wěn)健性,降低遠(yuǎn)程傳感器和安裝位置很難觸及的傳感器的檢修成本。
全球網(wǎng)絡(luò)能夠讓互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備具有最低的功耗和成本，為現(xiàn)實(shí)世界與云端網(wǎng)絡(luò)提供一個(gè)全新的連接方式。S2-LP新射頻芯片集成對(duì)Sigfox的支持功能，將幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)他們的物聯(lián)網(wǎng)概念，并利用我們快速的全球基礎(chǔ)設(shè)施和生態(tài)系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。
S2-LP遠(yuǎn)距離低速率收發(fā)器即日量產(chǎn)，采用4mmx4mm QFN24封裝。
新型電池可用于衛(wèi)星的曲面，重量?jī)H為傳統(tǒng)電池的1/7,光伏電池約占衛(wèi)星重量的10%。新開(kāi)發(fā)出的電池厚度僅為0.3毫米，采用將薄膜電池夾在樹(shù)脂膠片中固定的形式。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
這種pMTJ記憶體單元采用氧化鎂/鈷鐵硼(MgO/CoFeB)堆疊，可在完全整合后達(dá)到180%的穿隧磁阻值。離子束蝕刻技術(shù)用于降低至低于1ppm的短路故障;有趣的是看到離子束蝕刻技術(shù)對(duì)于生產(chǎn)吞吐量的影響。此外，嵌入式MRAM巨集具有側(cè)面感應(yīng)邊界限制，資訊儲(chǔ)存在攝氏85度下可保留達(dá)10年。
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此外，研究團(tuán)隊(duì)也將介紹克服與制程有關(guān)缺陷導(dǎo)致寫(xiě)入錯(cuò)誤的各種技術(shù)。
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S2-LP遠(yuǎn)距離低速率收發(fā)器即日量產(chǎn)，采用4mmx4mm QFN24封裝。
新型電池可用于衛(wèi)星的曲面，重量?jī)H為傳統(tǒng)電池的1/7,光伏電池約占衛(wèi)星重量的10%。新開(kāi)發(fā)出的電池厚度僅為0.3毫米，采用將薄膜電池夾在樹(shù)脂膠片中固定的形式。
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