16bit低功耗CPU內(nèi)核的基礎(chǔ)上，搭載了新開發(fā)的轉(zhuǎn)換速度高達(dá)1.25μs的業(yè)界頂級(jí)逐次比較型AD轉(zhuǎn)換器，以及振蕩精度高達(dá)1%的高精度振蕩電路。

通過這種新電路，可高效率處理傳感器等多個(gè)模擬輸入，無需外置的高精度振蕩器即可實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的相互數(shù)據(jù)通信等要求振蕩精度的功能，從而可使系統(tǒng)構(gòu)建更加簡(jiǎn)單輕松。

產(chǎn)品陣容包括64pin、80pin、100pin三種引腳數(shù)，128KB、256KB兩種內(nèi)置閃存容量的共6款產(chǎn)品，可滿足廣泛需求�？伸`活應(yīng)對(duì)應(yīng)用的功能増加以及功能増加所帶來的軟件大容量化趨勢(shì)。

例如，在40W的Doherty雙向不對(duì)稱放大器中，其載波通道裝有一根A2G22S160-01S晶體管，峰值通道裝有兩個(gè)A2G22S160-01S晶體管，則它的最大輸出功率為56.2dBm。通過8dB的輸出回退(OBO)，功率增益可達(dá)到15.4dB, 效率則可達(dá)到56.7%。

當(dāng)此放大器受到兩個(gè)20MHzLTE載波單元(聚合后的帶寬則為40MHz)的驅(qū)動(dòng)時(shí)，具備數(shù)字預(yù)失真(DPD)功能的鄰道功率(ACP)則為55dBc。

新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，簡(jiǎn)化多種軍用、通訊和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的設(shè)計(jì)。擴(kuò)充具備ECC功能的同步SRAM產(chǎn)品線，增加其他容量的產(chǎn)品。

由背景輻射引起的軟錯(cuò)誤可損壞存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。新型同步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯(cuò)誤校正功能，而無需用戶干預(yù)，能達(dá)到業(yè)界最佳的軟錯(cuò)誤率（SER）性能。

這些具有ECC功能的同步SRAM器件與現(xiàn)有的同步SRAM管腳兼容，客戶無需改變電路板設(shè)計(jì)，即可提高SER和系統(tǒng)可靠性。此外，新款SRAM與競(jìng)爭(zhēng)方案相比，還可降低多達(dá)36%的功耗。

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