載波泄漏和欠佳邊帶抑制產(chǎn)生誤差矢量幅值和相鄰?fù)ǖ拦β时?/h1>
發(fā)布時間:2023/8/6 23:48:31 訪問次數(shù):111
零IF調(diào)制器具有過多的載波泄漏和欠佳的邊帶抑制,因而產(chǎn)生了不良的誤差矢量幅值(EVM)和相鄰?fù)ǖ拦β时?ACPR)。
LTC5589的增益可通過片內(nèi)串行端口設(shè)定。一種粗增益控制提供1dB步進(jìn)及0.1dB的可調(diào)精細(xì)增益控制?傇鲆娣秶鸀–19dB至0dB。
改變調(diào)制器增益會影響器件電源電流 (從9mA至39mA),因此可根據(jù)具體應(yīng)用的需要,通過略微降低增益和性能,把該器件設(shè)定為以更低功耗運(yùn)行。一旦設(shè)定完畢,就可以通過激活內(nèi)置溫度校準(zhǔn)功能,自動對增益進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
水銀燈需要復(fù)雜的驅(qū)動電路,要用2到15分鐘進(jìn)行預(yù)熱,而VLMU3510-365-130只要使用簡單的低壓電路,也沒有預(yù)熱時間。
目前,功率模塊通常主要依賴于標(biāo)準(zhǔn)硅二極管和隔離柵雙極晶體管(IGBT)。
新產(chǎn)品可用于高壓功率模塊和分立功率解決方案,包括牽引變頻器,車載充電器和輔助直流-直流轉(zhuǎn)換器。
目前,功率模塊通常主要依賴于標(biāo)準(zhǔn)硅二極管和隔離柵雙極晶體管(IGBT)。
碳化硅是一項(xiàng)較新的寬帶隙技術(shù),可使功率模塊尺寸變得更小,而工作電壓遠(yuǎn)高于今天電動汽車和混動汽車動力總成的400V電壓。
碳化硅二極管和晶體管的結(jié)構(gòu)縮小,內(nèi)部電阻隨之變低,響應(yīng)速度較標(biāo)準(zhǔn)硅產(chǎn)品更快,實(shí)現(xiàn)電能損耗最小化,使相關(guān)器件尺寸縮小,節(jié)省空間,降低重量。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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LTC5589的增益可通過片內(nèi)串行端口設(shè)定。一種粗增益控制提供1dB步進(jìn)及0.1dB的可調(diào)精細(xì)增益控制?傇鲆娣秶鸀–19dB至0dB。
改變調(diào)制器增益會影響器件電源電流 (從9mA至39mA),因此可根據(jù)具體應(yīng)用的需要,通過略微降低增益和性能,把該器件設(shè)定為以更低功耗運(yùn)行。一旦設(shè)定完畢,就可以通過激活內(nèi)置溫度校準(zhǔn)功能,自動對增益進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
水銀燈需要復(fù)雜的驅(qū)動電路,要用2到15分鐘進(jìn)行預(yù)熱,而VLMU3510-365-130只要使用簡單的低壓電路,也沒有預(yù)熱時間。
目前,功率模塊通常主要依賴于標(biāo)準(zhǔn)硅二極管和隔離柵雙極晶體管(IGBT)。
新產(chǎn)品可用于高壓功率模塊和分立功率解決方案,包括牽引變頻器,車載充電器和輔助直流-直流轉(zhuǎn)換器。
目前,功率模塊通常主要依賴于標(biāo)準(zhǔn)硅二極管和隔離柵雙極晶體管(IGBT)。
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