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接收器系統(tǒng)能效和避免電壓型ADC系統(tǒng)內(nèi)大型輸入電容器的問題

發(fā)布時(shí)間:2023/8/10 0:09:04 訪問次數(shù):60

高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFree™壓電MEMS(pMEMS™)LVDS/LVPECL振蕩器。

此外,這些新推出的芯片兼有高性能和低功耗特色,是提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的云服務(wù)以及促進(jìn)云網(wǎng)絡(luò)普及所需的關(guān)鍵器件。

這些器件支持最新的IEEE 802.1 AVB標(biāo)準(zhǔn),適用于在易于配置的以太網(wǎng)上運(yùn)行的消費(fèi)類和專業(yè)AV應(yīng)用,為此提供無縫提供時(shí)間敏感型多媒體數(shù)據(jù)流。這些器件還支持IEEE 1588v2精確同步時(shí)鐘協(xié)議(PTP)標(biāo)準(zhǔn),這使得同一以太網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的節(jié)點(diǎn)時(shí)間同步在1微秒的時(shí)間內(nèi)。

一種連接ADC架構(gòu)與整個(gè)無線電架構(gòu)的新方法。為了提高整個(gè)接收器系統(tǒng)的能效和避免電壓型ADC系統(tǒng)內(nèi)的大型輸入電容器帶來的問題,利用3.2-51.2mSiemens電流型可變增益跨導(dǎo)器(VGA)來驅(qū)動(dòng)電荷型SAR ADC,而不會(huì)產(chǎn)生多余的消耗,大幅降低整個(gè)系統(tǒng)的總功耗降。

采用40nm CMOS工藝制造而成的10位10-80Msps VGA-ADC在達(dá)到70dB的動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了5.45mA以下的低電流(在1.1V的電源電壓下)。


ADC原型采用40nm CMOS工藝制造而成,核心芯片面積為0.066平方毫米。測量顯示DNL(微分直線型誤差)和INL(積分直線型誤差)分別為0.8/-0.5和1.1/-1.5 LSB。

新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動(dòng)運(yùn)行,使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。

4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù),在出廠時(shí)編程所需的輸出頻率,無需微調(diào)昂貴的晶體。此外,由于pMEMS的本征諧振頻率遠(yuǎn)高于石英晶體,4M振蕩器能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的頻率而無需損耗關(guān)鍵性能。

4M系列是廣泛MEMS-based器件組合的首款產(chǎn)品,將為客戶提供便利、精確和低抖動(dòng)的計(jì)時(shí)參考。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFree™壓電MEMS(pMEMS™)LVDS/LVPECL振蕩器。

此外,這些新推出的芯片兼有高性能和低功耗特色,是提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的云服務(wù)以及促進(jìn)云網(wǎng)絡(luò)普及所需的關(guān)鍵器件。

這些器件支持最新的IEEE 802.1 AVB標(biāo)準(zhǔn),適用于在易于配置的以太網(wǎng)上運(yùn)行的消費(fèi)類和專業(yè)AV應(yīng)用,為此提供無縫提供時(shí)間敏感型多媒體數(shù)據(jù)流。這些器件還支持IEEE 1588v2精確同步時(shí)鐘協(xié)議(PTP)標(biāo)準(zhǔn),這使得同一以太網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的節(jié)點(diǎn)時(shí)間同步在1微秒的時(shí)間內(nèi)。

一種連接ADC架構(gòu)與整個(gè)無線電架構(gòu)的新方法。為了提高整個(gè)接收器系統(tǒng)的能效和避免電壓型ADC系統(tǒng)內(nèi)的大型輸入電容器帶來的問題,利用3.2-51.2mSiemens電流型可變增益跨導(dǎo)器(VGA)來驅(qū)動(dòng)電荷型SAR ADC,而不會(huì)產(chǎn)生多余的消耗,大幅降低整個(gè)系統(tǒng)的總功耗降。

采用40nm CMOS工藝制造而成的10位10-80Msps VGA-ADC在達(dá)到70dB的動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了5.45mA以下的低電流(在1.1V的電源電壓下)。


ADC原型采用40nm CMOS工藝制造而成,核心芯片面積為0.066平方毫米。測量顯示DNL(微分直線型誤差)和INL(積分直線型誤差)分別為0.8/-0.5和1.1/-1.5 LSB。

新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動(dòng)運(yùn)行,使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。

4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù),在出廠時(shí)編程所需的輸出頻率,無需微調(diào)昂貴的晶體。此外,由于pMEMS的本征諧振頻率遠(yuǎn)高于石英晶體,4M振蕩器能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的頻率而無需損耗關(guān)鍵性能。

4M系列是廣泛MEMS-based器件組合的首款產(chǎn)品,將為客戶提供便利、精確和低抖動(dòng)的計(jì)時(shí)參考。

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