由于eDRAM是采用整合于芯片內(nèi)部的設(shè)計，因此芯片在研發(fā)初期就可以采用位寬更大的總線，不需要改變芯片封裝后的針腳數(shù)或者PCB的布線規(guī)模。

在性能表現(xiàn)方面，以256bit寬度總線設(shè)計的嵌入式存儲器來看，頻率只要達到500MHz，即可實現(xiàn)128Gbps的帶寬。

在eDRAM中載入SRAM部分的數(shù)據(jù)可以在15ns(納秒)內(nèi)被處理器訪問到，如果數(shù)據(jù)不在SRAM中，它可以在35ns內(nèi)從eDRAM的DRAM部分訪問到，效率要比目前的靜態(tài)RAM設(shè)計高出不少。

最為重要的是對256位的整數(shù)SIMD的支持，并新增60條256位浮點SIMD指令，完善從AVX開始的256位擴展，理論上可再次提升整數(shù)和浮點運算速度。僅僅通過這一項指令集的提升，處理器峰值浮點運算單元的運算能力就可以翻倍。

為了解決這個問題，通常采用的辦法是在兩級存儲器之間增加一個高速緩沖存儲器Cache，CPU中采用L1、L2緩存設(shè)計就是這個原理。

其技術(shù)核心與之前適馬推出X3技術(shù)有些接近,但是尚不了解這種新技術(shù),何時可在全新產(chǎn)品上得到應(yīng)用。

CMOS圖像傳感器的最新專利技術(shù),AVX2是由AVX指令集擴展增強而來的，為絕大多數(shù)128位SIMD整數(shù)指令帶來了256位數(shù)值處理能力，同時繼續(xù)遵循AVX的編程模式。