10nm制程集成超過(guò)30億個(gè)晶體管情況下體積比驍龍820小35%
發(fā)布時(shí)間:2023/8/10 22:40:54 訪問(wèn)次數(shù):63
LTM8073有4種運(yùn)行模式：突發(fā)模式 (Burst Mode®)、脈沖跳躍模式、具擴(kuò)展頻譜的脈沖跳躍模式和外部同步模式。
600V G7具備業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on) ，從28m到150m不等。相比傳統(tǒng)的D2PAK封裝而言，該器件的表面積、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%。所有這些特性，使該器件成為服務(wù)器、電信、工業(yè)和太陽(yáng)能等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)最高效率并樹立功率密度標(biāo)桿的理想選擇。600V CoolMOS P7和600V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600V,具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常出色的功率密度。
驍龍835用上了更先進(jìn)的10nm制程， 在集成了超過(guò)30億個(gè)晶體管的情況下，體積比驍龍820還要小了35%，整體功耗降低了40%，性能卻大漲27%。
在晶體管結(jié)構(gòu)中，電流從Source(源極)流入Drain(漏級(jí))，Gate(柵極)相當(dāng)于閘門，主要負(fù)責(zé)控制兩端源極和漏級(jí)的通斷。電流會(huì)損耗，而柵極的寬度則決定了電流通過(guò)時(shí)的損耗，表現(xiàn)出來(lái)就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。而柵極的最小寬度(柵長(zhǎng))，就是XX nm工藝中的數(shù)值。
加上新增的S128、S3A3和S3A6系列，Synergy MCU中現(xiàn)在共有7個(gè)MCU系列，57款基于ARM Cortex-M CPU內(nèi)核的芯片，涵蓋從32MHz到240MHz的工作頻率以及容量為64KB、128KB、256KB、512KB、1MB、2MB和4MB的片上閃存。
在未來(lái)繼續(xù)添加新的Synergy MCU系列產(chǎn)品，以此為基礎(chǔ)為具體應(yīng)用提供更深入的解決方案。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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600V G7具備業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on) ，從28m到150m不等。相比傳統(tǒng)的D2PAK封裝而言，該器件的表面積、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%。所有這些特性，使該器件成為服務(wù)器、電信、工業(yè)和太陽(yáng)能等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)最高效率并樹立功率密度標(biāo)桿的理想選擇。600V CoolMOS P7和600V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600V,具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常出色的功率密度。
驍龍835用上了更先進(jìn)的10nm制程， 在集成了超過(guò)30億個(gè)晶體管的情況下，體積比驍龍820還要小了35%，整體功耗降低了40%，性能卻大漲27%。
在晶體管結(jié)構(gòu)中，電流從Source(源極)流入Drain(漏級(jí))，Gate(柵極)相當(dāng)于閘門，主要負(fù)責(zé)控制兩端源極和漏級(jí)的通斷。電流會(huì)損耗，而柵極的寬度則決定了電流通過(guò)時(shí)的損耗，表現(xiàn)出來(lái)就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。而柵極的最小寬度(柵長(zhǎng))，就是XX nm工藝中的數(shù)值。
加上新增的S128、S3A3和S3A6系列，Synergy MCU中現(xiàn)在共有7個(gè)MCU系列，57款基于ARM Cortex-M CPU內(nèi)核的芯片，涵蓋從32MHz到240MHz的工作頻率以及容量為64KB、128KB、256KB、512KB、1MB、2MB和4MB的片上閃存。
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