傳感器精確地監(jiān)測(cè)溫度滿足應(yīng)用溫度監(jiān)測(cè)要求具備極高可配置性
發(fā)布時(shí)間:2023/8/23 18:11:04 訪問(wèn)次數(shù):75
EPC2105最理想應(yīng)用于高頻直流-直流轉(zhuǎn)換及推動(dòng)從48V直接轉(zhuǎn)至1V系統(tǒng)負(fù)載的高效單級(jí)轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
在EPC2105半橋元件內(nèi)每一個(gè)器件的額定電壓是80V。上面的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是10mΩ，下面的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻典型值是2.3mΩ。
高側(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸大約是低側(cè)器件的四分之一，使得器件在具有高VIN/VOUT比的降壓轉(zhuǎn)換器中可實(shí)現(xiàn)最佳直流-直流轉(zhuǎn)換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開(kāi)關(guān)速度及散熱性能。其尺寸只是6.05毫米x2.3毫米，功率密度更高。
這種集成通過(guò)替代獨(dú)立的串行EEPROM降低了系統(tǒng)總成本，節(jié)省了EEPROM和其它相關(guān)電路板組件的成本。內(nèi)置用于永久性存儲(chǔ)設(shè)備配置設(shè)置的非易失性寄存器還為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了極高的靈活性。
內(nèi)置的非易失性寄存器可在開(kāi)關(guān)機(jī)后保存用戶設(shè)置，因此能夠簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，減少處理器啟動(dòng)代碼，提高可靠性，并確保系統(tǒng)正常運(yùn)行。
傳感器還提供更快,高達(dá)1MHz的I2C總線通信速度,提升溫度傳感器和內(nèi)置串行EEPROM器件的吞吐量。
新的溫度傳感器系列包含6款高精度數(shù)字溫度傳感器，它們基于眾多廠商提供的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)功能LM75。所有傳感器均能精確地監(jiān)測(cè)溫度，滿足各類應(yīng)用的溫度監(jiān)測(cè)要求，而且具備極高的可配置性。
80V增強(qiáng)型單片式半橋氮化鎵晶體管(EPC2105)。透過(guò)集成兩個(gè)eGaN®功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管成為單一器件可以除去互連電感及印刷電路板上的空隙，從而提高效率(尤其是在更高頻率時(shí))及提高功率密度并同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
EPC2105最理想應(yīng)用于高頻直流-直流轉(zhuǎn)換及推動(dòng)從48V直接轉(zhuǎn)至1V系統(tǒng)負(fù)載的高效單級(jí)轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
在EPC2105半橋元件內(nèi)每一個(gè)器件的額定電壓是80V。上面的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是10mΩ，下面的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻典型值是2.3mΩ。
高側(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸大約是低側(cè)器件的四分之一，使得器件在具有高VIN/VOUT比的降壓轉(zhuǎn)換器中可實(shí)現(xiàn)最佳直流-直流轉(zhuǎn)換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開(kāi)關(guān)速度及散熱性能。其尺寸只是6.05毫米x2.3毫米，功率密度更高。
這種集成通過(guò)替代獨(dú)立的串行EEPROM降低了系統(tǒng)總成本，節(jié)省了EEPROM和其它相關(guān)電路板組件的成本。內(nèi)置用于永久性存儲(chǔ)設(shè)備配置設(shè)置的非易失性寄存器還為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了極高的靈活性。
內(nèi)置的非易失性寄存器可在開(kāi)關(guān)機(jī)后保存用戶設(shè)置，因此能夠簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，減少處理器啟動(dòng)代碼，提高可靠性，并確保系統(tǒng)正常運(yùn)行。
傳感器還提供更快,高達(dá)1MHz的I2C總線通信速度,提升溫度傳感器和內(nèi)置串行EEPROM器件的吞吐量。
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