3.3V到1V降壓轉(zhuǎn)換器的效率并驅(qū)動高達3A的負載
發(fā)布時間:2023/8/18 0:58:07 訪問次數(shù):216
85522211和85522201可提供的最大輸出功率為2200VA。
nRF52832帶有類別首個64MHz ARM®Cortex®-M4F處理器、512kB閃存和64kB RAM、同級最佳超高性能、超低功耗多協(xié)議藍牙智能、ANT™、具有-96dB RX靈敏度的專有2.4GHz無線電、5.5mA 峰值RX/TX電流,以及一個片上RF平衡/不平衡轉(zhuǎn)換器(RF Balun)。獨特的全自動功率管理系統(tǒng)還可讓設(shè)計人員輕易實現(xiàn)最佳功耗。nRF52832采用先進的55nm工藝,包括6x6mm QFN和微型3.0x3.2mm CSP封裝選項。
EEMBC 215 CoreMark®的評分,顯示nRF52832相比基于ARM Cortex-M0/M3競爭藍牙智能SoC解決方案提供高出多達60%通用處理能力,并且借助ARM Cortex-M4F獲得額外10倍的浮點和2倍的DSP性能。
此外,該SoC的能效達到90 CoreMark/mA,是一些競爭解決方案的2倍。
nRF52832還包括全系列片上模擬和數(shù)字外設(shè),如傳感器、顯示、觸摸控制器、LED、鍵盤、馬達、數(shù)字麥克風,以及音頻編解碼器,用于無縫連接外部組件,而 這使其成為用于可穿戴產(chǎn)品、人機接口設(shè)備,比如遙控器、玩具、智能家居設(shè)備和電器,以及無線充電應(yīng)用的理想單芯片解決方案。
降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來提升設(shè)計靈活性,同時從開關(guān)元件提供分布式熱耗散。
DMC1028UFDB MOSFET組合優(yōu)化了性能,盡量提高3.3V到1V降壓轉(zhuǎn)換器的效率,并驅(qū)動高達3A的負載。
這些優(yōu)化性能包括針對在三分之二的開關(guān)周期都處于導通狀態(tài)的低側(cè)N通道MOSFET,Vgs=3.3V下的19mΩ低導通電阻,還有為P通道MOSFET而設(shè),Vgs=3.3V下的5nc低柵極電荷,從而把開關(guān)損耗減到最低。
互補式雙MOSFET組合DMC1028UFDB,旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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EEMBC 215 CoreMark®的評分,顯示nRF52832相比基于ARM Cortex-M0/M3競爭藍牙智能SoC解決方案提供高出多達60%通用處理能力,并且借助ARM Cortex-M4F獲得額外10倍的浮點和2倍的DSP性能。
此外,該SoC的能效達到90 CoreMark/mA,是一些競爭解決方案的2倍。
nRF52832還包括全系列片上模擬和數(shù)字外設(shè),如傳感器、顯示、觸摸控制器、LED、鍵盤、馬達、數(shù)字麥克風,以及音頻編解碼器,用于無縫連接外部組件,而 這使其成為用于可穿戴產(chǎn)品、人機接口設(shè)備,比如遙控器、玩具、智能家居設(shè)備和電器,以及無線充電應(yīng)用的理想單芯片解決方案。
降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來提升設(shè)計靈活性,同時從開關(guān)元件提供分布式熱耗散。
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這些優(yōu)化性能包括針對在三分之二的開關(guān)周期都處于導通狀態(tài)的低側(cè)N通道MOSFET,Vgs=3.3V下的19mΩ低導通電阻,還有為P通道MOSFET而設(shè),Vgs=3.3V下的5nc低柵極電荷,從而把開關(guān)損耗減到最低。
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