電感耦合技術(shù)和VR控制器的全面電源管理解決方案。IDT這款獨(dú)特的解決方案可最大限度地降低功率損耗，進(jìn)一步降低系統(tǒng)的總體物料成本。

此外，IDT已成為目前唯一一家可提供穩(wěn)壓模塊和降壓穩(wěn)壓解決方案的廠商。

該電源管理解決方案采用了新的多相位電源轉(zhuǎn)換器和新的系統(tǒng)時(shí)鐘電源控制臺(tái)。IDT P62000多相位控制器是一個(gè)靈活的二、三或四相位脈寬調(diào)制器件，可滿足先進(jìn)微處理器精確的穩(wěn)壓要求。IDT的解決方案完全兼容當(dāng)前的VR11.1以及未來(lái)VR12路線圖，可實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性。

LTC4310:

在兩條隔離總線之間實(shí)現(xiàn)雙向I2C通信

用價(jià)格低廉的以太網(wǎng)變壓器實(shí)現(xiàn)徹底隔離

利用電容器來(lái)完成低電壓電平移位

I2C最大工作頻率：

LTC4310-1為100kHz

LTC4310-2為400kHz

符合I2C規(guī)格的VOL、VIL

上升時(shí)間加速器

具SDA、SCL熱插拔能力

非常低的停機(jī)電流

阻塞總線斷接和恢復(fù)

熱停

Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)，器件的芯片級(jí)封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內(nèi)提供了超低導(dǎo)通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6，而導(dǎo)通電阻則很相近，從而為其他產(chǎn)品功能騰出空間，或是使終端產(chǎn)品變得更小。

MOSFE的低導(dǎo)通電阻意味著負(fù)載、充電器和電池開(kāi)關(guān)中更低的壓降，使智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等個(gè)人手持設(shè)備能夠更快地充電，在兩次充電之間的電池壽命更長(zhǎng)。

MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)范，符合RoHS指令2002/95/EC。