東芝美國(guó)電子元件公司(TAEC)近日推出八種N溝道高級(jí)MOSFET。這些器件提高了中等功率直流轉(zhuǎn)換器的性能，并以薄型封裝為特點(diǎn)，其電壓分別為40V、60V、100V、150V、200V和250V。

　　此次推出的新產(chǎn)品中，40V和60V器件采用薄型封裝，厚度僅為標(biāo)準(zhǔn)SOP-8的一半。它們采用東芝公司的超高速U-MOS III工藝技術(shù)，使額定電流提高了約200%，功耗是標(biāo)準(zhǔn)SOP-8器件的50%，兩款40V器件的編號(hào)分別為TPCA8014-H和TPCA8015-H。其中，TPCA8014-H的電流為30A，最大開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))為9mΩ(Vgs = 10)，典型門電荷(QSW)為7.4nC，開(kāi)關(guān)速度(下降時(shí)間)為4ns；而TPCA8015-H的電流達(dá)35A，最大RDS(on)為6.8mΩ，典型QSW為12.3nC。TAEC的TPCA8016-H是60V器件，最大漏電流為25A。RDS(on)為21mΩ，QSW為6.6nC。

　　100V器件使用π-MOS VII技術(shù)，編號(hào)為TPCA8006-H和TPCA8007-H。其中，TPCA8006-H的電流達(dá)18A，RDS(on)為67mΩ，QSW為6.9nC，開(kāi)關(guān)速度為2ns。TPCA8007-H為大電流直流轉(zhuǎn)換器，額定電流為20A，RDS(on)為47mΩ，QSW為8.5nC。

　　150V、200V和250V器件采用π-MOS V MACH II技術(shù)，150V器件標(biāo)號(hào)為TPCA8009-H，電流達(dá)7A，RDS(on)為350mΩ，QSW為3.7nC，開(kāi)關(guān)速度達(dá)13ns。200V器件的標(biāo)號(hào)為TPCA8010-H，其電流為5.5A，開(kāi)態(tài)電阻為450mΩ，QSW為3.7nC，開(kāi)關(guān)速度為13ns，250V器件的編號(hào)為TPCA8008-H，各項(xiàng)指標(biāo)分別為4A、580mΩ、3.7nC和13ns。

　　東芝公司還推出TSSOP高級(jí)小型封裝技術(shù)，其大小為3.6×4.4 mm，高0.75mm，比SOP高級(jí)封裝薄21%，與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝相比，縮小了53%。這種新封裝比SOP-8封裝的UHS U-MOS III器件的功耗降低了20%。首個(gè)采用TSSOP高級(jí)封裝的器件為TPCM8001-H，是30V、20A MOSFET，適用于空間有限的直流轉(zhuǎn)換器，可用于移動(dòng)計(jì)算機(jī)和便攜式電子設(shè)備。
　　

    所有器件均采用無(wú)鉛終端。TPCA8014-H和TPCA8015-H售價(jià)分別為50美分和60美分。150V TPCA8009-H售價(jià)45美分，200V TPCA8010-H售價(jià)為45美分，250V TCPA8008-H為60美分。TPCM8001-H TSSOP高級(jí)功率MOSFET樣品每片售價(jià)為45美分。以上價(jià)格僅供參考。所有產(chǎn)品不久將投入量產(chǎn)。

　�。ㄞD(zhuǎn)自　中國(guó)元器件在線）