先進(jìn)的Z軸TMR傳感器。新型的Z軸TMR傳感器對(duì)穿過(guò)傳感器表面的磁場(chǎng)垂直分量進(jìn)行測(cè)量，在感應(yīng)方向上與霍爾效應(yīng)傳感器相兼容。

它們?yōu)槎噍S電子羅盤(pán)(eCompass)、電流傳感器和通用線(xiàn)性磁場(chǎng)傳感提供了新的選項(xiàng)，并擁有高靈敏度、低噪聲、超低功耗和卓越的溫度穩(wěn)定性等TMR傳感器的優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)是霍爾效應(yīng)傳感器所不具備的。MDT對(duì)Z軸TMR傳感器的發(fā)明是磁傳感器技術(shù)進(jìn)步中的一項(xiàng)重大突破。

Si701x/2x單晶片IC設(shè)計(jì)提供了更高的易用性，同時(shí)降低了制造成本和復(fù)雜度。

Si701x/2x系列產(chǎn)品僅需要微不足道的BOM成本，并且是完全校準(zhǔn)和SMT兼容的。一體化的CMOS設(shè)計(jì)提供最高的長(zhǎng)期可靠性，并且一個(gè)可選的過(guò)濾器外蓋可以防止沾污，提供額外保護(hù)。

在工廠安裝的外蓋是一層覆蓋在IC頂部的特氟龍涂層，不僅在PCB裝配過(guò)程中保護(hù)傳感器，而且也遍及整個(gè)產(chǎn)品生命周期，在產(chǎn)品運(yùn)行過(guò)程中屏蔽來(lái)自傳感器元件之外的灰塵、污垢和清洗藥劑。

Si701x/2x傳感器在一體化的RH//溫度傳感器市場(chǎng)具有最低功耗。它支持3.3 V電源電壓和8位分辨率，當(dāng)每秒一次采樣率時(shí)平均片上功耗為1.9μW，與同類(lèi)產(chǎn)品功耗相比最大低至6倍。

如此高能效使得Si701x/2x系列產(chǎn)品成為功耗敏感型應(yīng)用的最佳選擇，并且有助于延長(zhǎng)電池壽命。

這兩款器件均具有出色的頻率范圍(700MHz至2700MHz)和單級(jí)增益(20dB至24dB)性能，均采用超小尺寸的封裝(PLD-1.5W)，非常適用于平均額定功率高達(dá)40W的宏基站MIMO應(yīng)用。

這些交鑰匙型電容式觸摸控制器擴(kuò)展了CAP11XX RightTouch® 產(chǎn)品組合，提供了各種滑塊、按鈕和接近功能。

此外，CAP12XX控制器使設(shè)計(jì)人員可以輕松添加美觀的低成本觸摸界面。全新系列中的六款產(chǎn)品包括CAP1203、CAP1293、CAP1206、CAP1296、CAP1208和CAP1298，采用8到16引腳的封裝。

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