單芯片器件可延長電池壽命降低物料清單成本并增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性
發(fā)布時間:2023/9/9 15:59:10 訪問次數(shù):174
Ultrabook™設(shè)備和筆記本等應(yīng)用的設(shè)計人員面臨降低電源設(shè)計中電感高度的挑戰(zhàn),以滿足更薄的低側(cè)高終端系統(tǒng)要求。
第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N,這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動器功率級解決方案,用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應(yīng)用。
FDMF6708N集成了一個驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET和一個自舉肖特基二極管,采用熱性能增強(qiáng)型6x6mm2 PQFN Intel®DrMOS v4.0標(biāo)準(zhǔn)封裝。
通過將一個高效的32位處理器內(nèi)核嵌入到一片PMIC之中,我們推進(jìn)了系統(tǒng)電源設(shè)計的界限,并為全世界的智能手機(jī)的設(shè)計帶來了精準(zhǔn)的數(shù)字控制。
Dialog的PMIC使得制造商能夠快速而容易地將帶有優(yōu)化電源的智能手機(jī)和平板電腦推向市場。高度集成和可配置的單芯片器件可延長電池壽命、降低物料清單成本并增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。
ARM Cortex-M0處理器是可用的、面積最小且功耗最低的ARM內(nèi)核。其超常的低功耗及較小的芯片面積和內(nèi)存占用使它成為了超低功耗MCU和混合信號應(yīng)用的理想選擇。
FDMF6708N可讓設(shè)計人員節(jié)省50%的占位面積,同時提供高開關(guān)頻率和高功率密度。該器件的過零檢測(ZCD)功能改善了輕負(fù)載效率,延長了電池壽命。
與傳統(tǒng)分立解決方案不同,F(xiàn)DMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™技術(shù)以及具有更低源極電感的clip-bond封裝,在滿負(fù)載下提供高效率。
而傳統(tǒng)分立解決方案需要更大的PCB空間、更長的布局走線、更厚的電感,以及更多的元件,因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N,這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動器功率級解決方案,用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應(yīng)用。
FDMF6708N集成了一個驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET和一個自舉肖特基二極管,采用熱性能增強(qiáng)型6x6mm2 PQFN Intel®DrMOS v4.0標(biāo)準(zhǔn)封裝。
通過將一個高效的32位處理器內(nèi)核嵌入到一片PMIC之中,我們推進(jìn)了系統(tǒng)電源設(shè)計的界限,并為全世界的智能手機(jī)的設(shè)計帶來了精準(zhǔn)的數(shù)字控制。
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ARM Cortex-M0處理器是可用的、面積最小且功耗最低的ARM內(nèi)核。其超常的低功耗及較小的芯片面積和內(nèi)存占用使它成為了超低功耗MCU和混合信號應(yīng)用的理想選擇。
FDMF6708N可讓設(shè)計人員節(jié)省50%的占位面積,同時提供高開關(guān)頻率和高功率密度。該器件的過零檢測(ZCD)功能改善了輕負(fù)載效率,延長了電池壽命。
與傳統(tǒng)分立解決方案不同,F(xiàn)DMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™技術(shù)以及具有更低源極電感的clip-bond封裝,在滿負(fù)載下提供高效率。
而傳統(tǒng)分立解決方案需要更大的PCB空間、更長的布局走線、更厚的電感,以及更多的元件,因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。
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