雙路多相同步降壓DC/DC控制器,能驅(qū)動所有的N溝功率MOSFET,輸入電壓從4.5V到38V,基準(zhǔn)電壓0.6V,精度±0.75%,可鎖相的固定頻率從250kHz到770kHz,可編程的突發(fā)模式或級屏蔽,以獲得輕負(fù)載的最大效率.效率高達(dá)95%.

主要用在電信和數(shù)據(jù)通信,工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備,DC電源分布系統(tǒng)和計算機系統(tǒng).

集成的高邊調(diào)光p溝道MOSFET驅(qū)動器和高邊電流檢測放大器可檢測短路故障，并在發(fā)生短路故障時保護(hù)LED、驅(qū)動器和電池。在輸出與地、輸入與輸出之間均提供該短路保護(hù)電路。

Infineon的SPT智能電源技術(shù),TLE8458Gx具有較強的ESD耐用性以及電磁抗擾性（EMI）.TLE8458Gx在較寬的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)了非常低的電磁輻射（EME）水平.

TLE8458Gx產(chǎn)品系列和Infineon SPT技術(shù)符合ACE要求,并可應(yīng)用于相對惡劣汽車環(huán)境中。

超高速USB3.0解決方案，該方案為整體的方案，包括主芯片、接頭、電纜線、閃存、穩(wěn)壓等我們并可提供線路布線及技術(shù)支持。

USB3.0方案之特點是能使SATA-II超高速地與外部設(shè)備連接通訊，而其傳輸速度是USB2.0的10倍以上并且兼容現(xiàn)有的USB2.0與USB1.1。

在射頻芯片方面，在TD領(lǐng)域表現(xiàn)良好的廣晟微電子的工程樣片已經(jīng)流片，但是根據(jù)芯片廠商的說法，目前TD- LTE射頻芯片嚴(yán)重缺失，專用射頻芯片入門條件很高，普通的射頻芯片無法滿足測試，現(xiàn)在大多廠商都在使用聯(lián)芯科技提供的一款射頻芯片。 

在此次TD-LTE工作組組織的測試中，基于ASIC的海思及創(chuàng)毅視訊、基于FPGA的重郵信科、聯(lián)芯科技及蘇州簡約納等6家芯片廠商參與了與系統(tǒng)的互通測試。

階段性的測試結(jié)果顯示，目前芯片的進(jìn)展不是很樂觀，芯片進(jìn)度需要進(jìn)一步加快。

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