當CS引腳達到VCS(MIN)時，外部MOSFET被開啟，如此反復。由于這一控制方案不需要回路補償，因此非常容易進行設計，也可以避免安裝過程中出現問題。

在其它MCU應用領域，用戶往往選擇從一個8位升級到一個32位環(huán)境。

在低功耗的情況下,人們一直假定32位內核在其掉電模式狀態(tài)時使用電流一定是高得令人無法接受的。

隨著全套低功耗設計技術的出現，今天的IC設計師們已經可能讓一個32位ARM內核提供不同的模式了，與其8位的競爭對手一樣好，甚至更好，而且還能實現快速喚醒時間。

伴隨電池壽命的是數量有限的電荷，設計者必須在MCU運行的所有階段減少產品的電流和時間，不僅要減少每微安的數量，也要減少每個動作的每個微秒。

為了減少深度睡眠模式下消耗的電流，在能源敏感應用的MCU中采用8位（或16位）內核已很普遍。

8位內核—即使在最新版本中也常常采用這樣的設計 - -很小，門控相對較少，靜電或泄露電流低。但是，許多現在的應用都需要比8位內核更大的處理功率。

典型的供應商 - 例如，柯達-評定230mAh到2V的終點電壓能力為5.6k(約有0.5mA). 如果是那樣的話，電池壽命將為400小時，相比之下，能源敏感的應用能使使用壽命達到20萬小時。

這種特殊的電池具有很好的貨架壽命或自放電率，數據表顯示10年之后其容量達90％。非常相似的是，這相當于連續(xù)充電約0.25A, 如果能夠達到10-20年的電池壽命, 應用的一般要求就會滿足。

32位處理器更高的處理性能也使MCU可以更快完成任務，從而能夠在這些模式中花更多時間來進一步降低平均功耗。