線邊繞制符合RoHS器件阻值從0.053Ω到5.44Ω公差為±10%
發(fā)布時間:2023/9/16 17:34:48 訪問次數(shù):294
90納米嵌入式非易失性存儲器CMOS制造工藝,STM32F7系列證明正在履行“加快創(chuàng)新,加快上市”承諾。
隨著更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點,先進(jìn)的面向未來的系統(tǒng)架構(gòu)有更大的空間提高微控制器的性能。目前STM32F756NG高性能微控制器的樣片僅提供給主要客戶。
STM32F7雖然性能提高了,但是能效并沒有影響。盡管功能更多,新系列運行模式和低功耗模式(停止、待機(jī)和VBAT)的功耗與STM32F4保在同一水平線上:工作模式能效為7CoreMarks/mW;
在低功耗模式下,當(dāng)上下文和SRAM內(nèi)容全都保存時,典型功耗最低120μA;典型待機(jī)功耗為1.7μA;VBAT模式典型功耗為0.1μA。
這些線邊繞制、符合RoHS的器件的阻值從0.053Ω到5.44Ω,公差為±10%。
今天推出的工業(yè)用功率電阻可根據(jù)需要進(jìn)行定制,能夠安裝在Vishay Milwaukee提供的支架上或符合防護(hù)等級要求的外殼里。器件還有通用安裝的版本,即EDGU。

自帶的5VDC/0.5A輔助電源可以滿足其他邏輯電路的要求。
CCL400系列主要適用于如生命維持,影像和血液處理設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備。該產(chǎn)品未使用風(fēng)扇,更適用于有低噪音規(guī)定的醫(yī)療設(shè)備。該產(chǎn)品也可廣泛應(yīng)用于需要通過自然對流冷卻或傳導(dǎo)冷卻達(dá)到高功率密度的工業(yè)和信息技術(shù)領(lǐng)域。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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在低功耗模式下,當(dāng)上下文和SRAM內(nèi)容全都保存時,典型功耗最低120μA;典型待機(jī)功耗為1.7μA;VBAT模式典型功耗為0.1μA。
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