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微處理器顯示控制信號(hào)從顯示控制端檢測(cè)是否有正常信號(hào)輸出

發(fā)布時(shí)間:2023/10/3 14:50:51 訪問(wèn)次數(shù):70

直流電動(dòng)機(jī)扭制電路的結(jié)構(gòu)組成,直流電動(dòng)機(jī)控制電路是指實(shí)現(xiàn)直流電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)、運(yùn)轉(zhuǎn)、停機(jī)等控制功能的電路。

典型直流電動(dòng)機(jī)控制電路的結(jié)構(gòu)組成,可以看到,直流電動(dòng)機(jī)控制電路主要由直流電動(dòng)機(jī)和電源總開(kāi)關(guān)、按鈕開(kāi)關(guān)、接觸器、熔斷器等器件構(gòu)成(不同功能的電路組成部件的類(lèi)型和數(shù)量不同)。

直流電動(dòng)機(jī)是指由直流電源(需區(qū)分電源的正負(fù)極)供給電能,將電能轉(zhuǎn)變?yōu)闄C(jī)械能的電動(dòng)裝置。直流電動(dòng)機(jī)具有良好的可控性能。

氧氣會(huì)消耗硅(Si),多晶硅(Poly)產(chǎn)生氧化,通常二氧化硅的厚度會(huì)消耗0.54倍的硅,而消耗的多晶硅則相對(duì)少些。

當(dāng)足夠大的電位差施于柵極與源極之間時(shí),電場(chǎng)會(huì)在柵氧化層下方的半導(dǎo)體表面感應(yīng)少子電荷,形成反型溝道;這時(shí)溝道的導(dǎo)電類(lèi)型與其漏極與源極相同。

溝道形成后,MC)SFET即可讓電流通過(guò),器件T作于反型模式(IM)。

檢測(cè)微處理器的顯示控制信號(hào),可以從顯示控制端檢測(cè)是否有正常的信號(hào)輸出。

進(jìn)一步地,伴隨MOS器件特征尺寸持續(xù)不斷地按比例縮小,基于PN結(jié)的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)弊端也越來(lái)越明顯。

若微處理糌三個(gè)工作條件正常,此時(shí)操作電路板上的操作按鍵向微處理器發(fā)進(jìn)人工指令,監(jiān)測(cè)微處理器控制信號(hào)輸出引腳端的信號(hào)。若供電、時(shí)鐘、復(fù)位三大基本條件滿(mǎn)足時(shí),無(wú)掛制信號(hào)輸出,則多為微處理器芯片內(nèi)部損壞,需用同型號(hào)芯片更換。

若實(shí)測(cè)微處理器的工作條件均正常,此時(shí)可以對(duì)微處理器的控制信號(hào)做進(jìn)一步檢查。


深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

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典型直流電動(dòng)機(jī)控制電路的結(jié)構(gòu)組成,可以看到,直流電動(dòng)機(jī)控制電路主要由直流電動(dòng)機(jī)和電源總開(kāi)關(guān)、按鈕開(kāi)關(guān)、接觸器、熔斷器等器件構(gòu)成(不同功能的電路組成部件的類(lèi)型和數(shù)量不同)。

直流電動(dòng)機(jī)是指由直流電源(需區(qū)分電源的正負(fù)極)供給電能,將電能轉(zhuǎn)變?yōu)闄C(jī)械能的電動(dòng)裝置。直流電動(dòng)機(jī)具有良好的可控性能。

氧氣會(huì)消耗硅(Si),多晶硅(Poly)產(chǎn)生氧化,通常二氧化硅的厚度會(huì)消耗0.54倍的硅,而消耗的多晶硅則相對(duì)少些。

當(dāng)足夠大的電位差施于柵極與源極之間時(shí),電場(chǎng)會(huì)在柵氧化層下方的半導(dǎo)體表面感應(yīng)少子電荷,形成反型溝道;這時(shí)溝道的導(dǎo)電類(lèi)型與其漏極與源極相同。

溝道形成后,MC)SFET即可讓電流通過(guò),器件T作于反型模式(IM)。

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進(jìn)一步地,伴隨MOS器件特征尺寸持續(xù)不斷地按比例縮小,基于PN結(jié)的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)弊端也越來(lái)越明顯。

若微處理糌三個(gè)工作條件正常,此時(shí)操作電路板上的操作按鍵向微處理器發(fā)進(jìn)人工指令,監(jiān)測(cè)微處理器控制信號(hào)輸出引腳端的信號(hào)。若供電、時(shí)鐘、復(fù)位三大基本條件滿(mǎn)足時(shí),無(wú)掛制信號(hào)輸出,則多為微處理器芯片內(nèi)部損壞,需用同型號(hào)芯片更換。

若實(shí)測(cè)微處理器的工作條件均正常,此時(shí)可以對(duì)微處理器的控制信號(hào)做進(jìn)一步檢查。


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