y軸增益調(diào)整旋鈕，用來調(diào)整y軸每格代表的電壓值。其增益范圍為20v/div～2mv/div，以2.5倍增益精確設(shè)置。

通過調(diào)節(jié)粗調(diào)旋鈕或者細(xì)調(diào)旋鈕改變每格所代表的電壓值,并自動(dòng)將每格所代表的電壓值在下面的文本框中顯示出來,也可以直接在文本框中輸入電壓值.通過該值可以算出波形的幅值,峰值和RMS(有效值)。

邏輯分析儀是連續(xù)記錄OCS30輸入信號(hào)并存人內(nèi)部緩沖器中顯示的虛擬儀器。

邏輯分析儀有AO～A15共16位數(shù)字信號(hào)輸入端口和BO～B3共4個(gè)8位數(shù)據(jù)總線輸入端口。

垂直溝道型三維電荷俘獲閃存的關(guān)鍵技術(shù)是超深孔刻蝕和高質(zhì)量薄膜工藝。

溝道材料一般為多晶硅薄膜,要求具有很好的結(jié)晶度和較大的晶粒,同時(shí)還需要與柵介質(zhì)之間有低缺陷密度的界面。作為一種電荷俘獲存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)單元之間幾乎沒有耦合效應(yīng)。編程和擦除操作分別使用了電子和空穴的FN隧穿。

為了提高擦除速度,隧穿層通常會(huì)使用基于氧化硅和氮氧化硅材料的疊層結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)層一般是以氮化硅為主的高陷阱密度材料。

x軸參數(shù)設(shè)置，默認(rèn)為時(shí)間軸，是A、B、c、D4個(gè)通道的信號(hào)源，主要用于形成X-y模式。

垂直坐標(biāo)軸選擇（y軸），鼠標(biāo)移至滾輪上，按住左鍵左右拖動(dòng)就可以實(shí)現(xiàn)y軸位置的改變。X軸和y軸交叉處坐標(biāo)為(0，O)。

時(shí)基控制按鈕范圍200ms/div～0. 5rusldiv，以2.5倍增益精確設(shè)置。

通過調(diào)節(jié)粗調(diào)旋鈕或者細(xì)調(diào)旋鈕改變每格掃描的時(shí)間基數(shù)，并自動(dòng)將每格所代表的時(shí)間在文本框中顯示出來，也可以直接在文本框中輸入時(shí)間值。

通過時(shí)基可以算出信號(hào)的頻率和周期,如果時(shí)基參數(shù)設(shè)置不合適，不會(huì)得到正確的波形。

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