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漏極電流和電壓和用于FDD和TDD操作的集成偏置關閉能力

發(fā)布時間:2023/11/2 23:09:16 訪問次數(shù):93

Thor M7450是一個集成RAM的雙片解決方案,使目標應用的尺寸變得更加緊湊。

M7450設計采用28nm CMOS工藝,基于自Thor M7400開始引入的突破性架構,功耗處于市場領先水平。新產(chǎn)品支持3GPP Release 10版本,LTE Category 4下行速率達150Mbps,并且支持VoLTE。

芯片組支持LTE-FDD、LTE-TDD、HSPA+、GSM和TD-SCDMA,可滿足LTE終端在全球廣泛普及過程中對設計簡潔、高性價比modem解決方案的需求。

在modem技術領域的創(chuàng)新,在提高數(shù)據(jù)下載速度的同時,而不會影響產(chǎn)品尺寸或者功耗。

在如此小的封裝內(nèi)實現(xiàn)速度和能效俱佳的完整的LTE Advanced modem解決方案。

HT45FH3T針對3D眼鏡應用,提供了3D眼鏡應用所需的功能,并采用HOLTEK Tinypower架構技術,大幅降低單片機耗電流。

因此3D眼鏡使用的電池壽命能用的更久,不需要常常充電或是更換電池,且此顆MCU提供了ADC功能,以便偵測3D眼鏡內(nèi)的電池電壓,提供更換電池的警示功能。

除了原有 HT45F3T的功能外,整合了1個3V LDO輸出及4個 Level Shift功能,除了可節(jié)省外部的零件外,更進一步縮減PCB面積。

700-1000 MHz的GaAs pHEMT低噪聲放大器: 0.5dB的噪聲系數(shù); 38.8dB的OIP3; 21dBm的P1dB射頻輸出功率; 單正電源 (在57mA為4.35V)。 

雙匹配低噪聲放大器---TQP3M9039、TQP3M9040,非常適合用于平衡高性能的射頻設計配置。

1500-2300 MHz的GaAs pHEMT低噪聲放大器: 0.62dB的噪聲系數(shù); 38.8dB的OIP3; 21dBm的P1dB射頻輸出功率; 單正電源(在57mA為4.4V)。 其雙放大器結構使操作平衡,它提供了可調(diào)節(jié)的偏置(漏極電流和電壓)和用于FDD和TDD操作的集成偏置關閉能力。采用4x4mm QFN封裝。


http://tx168.51dzw.com


Thor M7450是一個集成RAM的雙片解決方案,使目標應用的尺寸變得更加緊湊。

M7450設計采用28nm CMOS工藝,基于自Thor M7400開始引入的突破性架構,功耗處于市場領先水平。新產(chǎn)品支持3GPP Release 10版本,LTE Category 4下行速率達150Mbps,并且支持VoLTE。

芯片組支持LTE-FDD、LTE-TDD、HSPA+、GSM和TD-SCDMA,可滿足LTE終端在全球廣泛普及過程中對設計簡潔、高性價比modem解決方案的需求。

在modem技術領域的創(chuàng)新,在提高數(shù)據(jù)下載速度的同時,而不會影響產(chǎn)品尺寸或者功耗。

在如此小的封裝內(nèi)實現(xiàn)速度和能效俱佳的完整的LTE Advanced modem解決方案。

HT45FH3T針對3D眼鏡應用,提供了3D眼鏡應用所需的功能,并采用HOLTEK Tinypower架構技術,大幅降低單片機耗電流。

因此3D眼鏡使用的電池壽命能用的更久,不需要常常充電或是更換電池,且此顆MCU提供了ADC功能,以便偵測3D眼鏡內(nèi)的電池電壓,提供更換電池的警示功能。

除了原有 HT45F3T的功能外,整合了1個3V LDO輸出及4個 Level Shift功能,除了可節(jié)省外部的零件外,更進一步縮減PCB面積。

700-1000 MHz的GaAs pHEMT低噪聲放大器: 0.5dB的噪聲系數(shù); 38.8dB的OIP3; 21dBm的P1dB射頻輸出功率; 單正電源 (在57mA為4.35V)。 

雙匹配低噪聲放大器---TQP3M9039、TQP3M9040,非常適合用于平衡高性能的射頻設計配置。

1500-2300 MHz的GaAs pHEMT低噪聲放大器: 0.62dB的噪聲系數(shù); 38.8dB的OIP3; 21dBm的P1dB射頻輸出功率; 單正電源(在57mA為4.4V)。 其雙放大器結構使操作平衡,它提供了可調(diào)節(jié)的偏置(漏極電流和電壓)和用于FDD和TDD操作的集成偏置關閉能力。采用4x4mm QFN封裝。


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