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空穴在HOMo上向較高電勢(shì)方向移動(dòng)達(dá)到高功函數(shù)的ITO電極

發(fā)布時(shí)間:2023/11/12 23:11:24 訪問次數(shù):346

外加的正向電壓大于開路電壓,載流子可較有效地注人到器件中產(chǎn)生電生激子。如果材料可產(chǎn)生輻射衰減,則器件就表現(xiàn)為發(fā)光二極管。

器件產(chǎn)生的外電壓稱為開路電壓,其值不超過兩金屬電極功函數(shù)之差。此時(shí),開路電壓將與內(nèi)建電場(chǎng)平衡,由于器件的凈剩電場(chǎng)為零,電流也為零。

沒有外加電壓的短路情形,這時(shí)兩個(gè)電極連在一起后費(fèi)米能級(jí)相等。

大很多的電流,此時(shí)的器件可作為光檢測(cè)器,也可作為收集電荷的電池器件。

沒有外加電壓的短路情形,這時(shí)兩個(gè)電極連在一起后費(fèi)米能級(jí)相等。

對(duì)元器件現(xiàn)場(chǎng)使用的失效分類統(tǒng)計(jì),判別各類失效模式的百分比,為改進(jìn)元器件可靠性提供依據(jù)。

通過現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn),可以分析自然環(huán)境應(yīng)力的大小對(duì)元器件可靠性影響的程度,從而確定元器件的環(huán)境保護(hù)工藝措施及環(huán)境試驗(yàn)方法,制定合理的環(huán)境試驗(yàn)條件;

收集元器件在現(xiàn)場(chǎng)使用的工作可靠性數(shù)據(jù),可以進(jìn)行工作可靠性統(tǒng)計(jì)評(píng)估,為設(shè)備設(shè)計(jì)中確定元器件可靠性指標(biāo)提供依據(jù).

由于兩個(gè)電極功函數(shù)的不同而產(chǎn)生的內(nèi)建電場(chǎng)平均分布于有機(jī)半導(dǎo)體中,靠近正極一端的有機(jī)層電勢(shì)升高,靠近負(fù)極一端的有機(jī)層電勢(shì)降低。在暗狀態(tài)下,沒有電流通過。

在光照情況下,LUMO能級(jí)上的電子向較低電勢(shì)方向移動(dòng),最后到達(dá)低功函數(shù)的金屬電極,空穴在HOMo上向較高電勢(shì)方向移動(dòng),最后達(dá)到高功函數(shù)的ITO電極,器件表現(xiàn)為光伏特性。

空穴在給體HoMO中,并向高電勢(shì)的電極移動(dòng),電子在受體LUMo中,并向低電勢(shì)的電極移動(dòng),器件產(chǎn)生光伏效應(yīng)。

深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com

外加的正向電壓大于開路電壓,載流子可較有效地注人到器件中產(chǎn)生電生激子。如果材料可產(chǎn)生輻射衰減,則器件就表現(xiàn)為發(fā)光二極管。

器件產(chǎn)生的外電壓稱為開路電壓,其值不超過兩金屬電極功函數(shù)之差。此時(shí),開路電壓將與內(nèi)建電場(chǎng)平衡,由于器件的凈剩電場(chǎng)為零,電流也為零。

沒有外加電壓的短路情形,這時(shí)兩個(gè)電極連在一起后費(fèi)米能級(jí)相等。

大很多的電流,此時(shí)的器件可作為光檢測(cè)器,也可作為收集電荷的電池器件。

沒有外加電壓的短路情形,這時(shí)兩個(gè)電極連在一起后費(fèi)米能級(jí)相等。

對(duì)元器件現(xiàn)場(chǎng)使用的失效分類統(tǒng)計(jì),判別各類失效模式的百分比,為改進(jìn)元器件可靠性提供依據(jù)。

通過現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn),可以分析自然環(huán)境應(yīng)力的大小對(duì)元器件可靠性影響的程度,從而確定元器件的環(huán)境保護(hù)工藝措施及環(huán)境試驗(yàn)方法,制定合理的環(huán)境試驗(yàn)條件;

收集元器件在現(xiàn)場(chǎng)使用的工作可靠性數(shù)據(jù),可以進(jìn)行工作可靠性統(tǒng)計(jì)評(píng)估,為設(shè)備設(shè)計(jì)中確定元器件可靠性指標(biāo)提供依據(jù).

由于兩個(gè)電極功函數(shù)的不同而產(chǎn)生的內(nèi)建電場(chǎng)平均分布于有機(jī)半導(dǎo)體中,靠近正極一端的有機(jī)層電勢(shì)升高,靠近負(fù)極一端的有機(jī)層電勢(shì)降低。在暗狀態(tài)下,沒有電流通過。

在光照情況下,LUMO能級(jí)上的電子向較低電勢(shì)方向移動(dòng),最后到達(dá)低功函數(shù)的金屬電極,空穴在HOMo上向較高電勢(shì)方向移動(dòng),最后達(dá)到高功函數(shù)的ITO電極,器件表現(xiàn)為光伏特性。

空穴在給體HoMO中,并向高電勢(shì)的電極移動(dòng),電子在受體LUMo中,并向低電勢(shì)的電極移動(dòng),器件產(chǎn)生光伏效應(yīng)。

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