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射頻/模擬內(nèi)容較少的射頻芯片架構(gòu)提供最佳邏輯和內(nèi)存微縮

發(fā)布時間:2023/11/16 23:14:39 訪問次數(shù):68

IntraSenseTM的設(shè)計(jì)代表在傳感器性能和易用性上邁出了一大步。

微創(chuàng)外科手術(shù)受益于IntraSenseTM產(chǎn)品在整個解剖空間內(nèi)直接進(jìn)行壓力測量。它可以沿曲折的解剖組織移動進(jìn)行顱內(nèi)壓力、子宮內(nèi)壓、血管內(nèi)壓以及腎壓的測量。青光眼監(jiān)測、活組織檢查、急診手術(shù)和膽汁壓力監(jiān)測也是IntraSenseTM產(chǎn)品的重要應(yīng)用領(lǐng)域,提供最低的侵入性監(jiān)測。

基于獨(dú)特的FEA輔助機(jī)電設(shè)計(jì)以及SMI先進(jìn)的MEMS制造工藝工藝,使得SM11A傳感器獲得很高的穩(wěn)定性,可以確保每小時低于3mmHg的偏置漂移。

汽車安全和自動駕駛方面的新興汽車應(yīng)用對于處理功耗和極致可靠性都有極高要求。

12LP平臺兼具這兩種功能,新射頻特性拓展了12LP平臺在6GHz以下無線網(wǎng)絡(luò)中的高級收發(fā)器等射頻/模擬應(yīng)用。12LP為以數(shù)字邏輯為主,射頻/模擬內(nèi)容較少的射頻芯片架構(gòu)提供最佳邏輯和內(nèi)存微縮。

因此,這些設(shè)備需要多樣化的參考時鐘組合。10/25/100G SerDes具有嚴(yán)格的抖動要求,通常需要具有<300fs rms最大抖動性能的時鐘。

CPU鎖相環(huán)具有較低的抖動要求,但經(jīng)常使用擴(kuò)頻時鐘來最小化電磁干擾(EMI)。

12納米FinFET技術(shù)是現(xiàn)有12納米FD-SOI產(chǎn)品12FDXTM的補(bǔ)充。雖然有些應(yīng)用要求FinFET晶體管的卓越性能,但許多連接設(shè)備需要高度的集成,以及更靈活的性能和功耗,而這是FinFET無法實(shí)現(xiàn)的。

12FDX為下一代智能互聯(lián)系統(tǒng)提供了一種替代路徑,實(shí)現(xiàn)了10納米FinFET的性能,且比當(dāng)前代FinFET產(chǎn)品功耗更低,成本更低,射頻集成更優(yōu)。

這波新投資周期促使設(shè)備制造商將交換機(jī)和接入端口升級到更高速率,并采用更高性能的時鐘解決方案。通過選擇Silicon Labs的Si5332任意頻率時鐘芯片,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化其時鐘樹設(shè)計(jì),且不影響時鐘性能。


深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com

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微創(chuàng)外科手術(shù)受益于IntraSenseTM產(chǎn)品在整個解剖空間內(nèi)直接進(jìn)行壓力測量。它可以沿曲折的解剖組織移動進(jìn)行顱內(nèi)壓力、子宮內(nèi)壓、血管內(nèi)壓以及腎壓的測量。青光眼監(jiān)測、活組織檢查、急診手術(shù)和膽汁壓力監(jiān)測也是IntraSenseTM產(chǎn)品的重要應(yīng)用領(lǐng)域,提供最低的侵入性監(jiān)測。

基于獨(dú)特的FEA輔助機(jī)電設(shè)計(jì)以及SMI先進(jìn)的MEMS制造工藝工藝,使得SM11A傳感器獲得很高的穩(wěn)定性,可以確保每小時低于3mmHg的偏置漂移。

汽車安全和自動駕駛方面的新興汽車應(yīng)用對于處理功耗和極致可靠性都有極高要求。

12LP平臺兼具這兩種功能,新射頻特性拓展了12LP平臺在6GHz以下無線網(wǎng)絡(luò)中的高級收發(fā)器等射頻/模擬應(yīng)用。12LP為以數(shù)字邏輯為主,射頻/模擬內(nèi)容較少的射頻芯片架構(gòu)提供最佳邏輯和內(nèi)存微縮。

因此,這些設(shè)備需要多樣化的參考時鐘組合。10/25/100G SerDes具有嚴(yán)格的抖動要求,通常需要具有<300fs rms最大抖動性能的時鐘。

CPU鎖相環(huán)具有較低的抖動要求,但經(jīng)常使用擴(kuò)頻時鐘來最小化電磁干擾(EMI)。

12納米FinFET技術(shù)是現(xiàn)有12納米FD-SOI產(chǎn)品12FDXTM的補(bǔ)充。雖然有些應(yīng)用要求FinFET晶體管的卓越性能,但許多連接設(shè)備需要高度的集成,以及更靈活的性能和功耗,而這是FinFET無法實(shí)現(xiàn)的。

12FDX為下一代智能互聯(lián)系統(tǒng)提供了一種替代路徑,實(shí)現(xiàn)了10納米FinFET的性能,且比當(dāng)前代FinFET產(chǎn)品功耗更低,成本更低,射頻集成更優(yōu)。

這波新投資周期促使設(shè)備制造商將交換機(jī)和接入端口升級到更高速率,并采用更高性能的時鐘解決方案。通過選擇Silicon Labs的Si5332任意頻率時鐘芯片,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化其時鐘樹設(shè)計(jì),且不影響時鐘性能。


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