AS1345提供100mA、200mA、350mA和500mA四種電感峰值電流限制的芯片版本，可以幫助設計師優(yōu)化不同負載條件下的能效。

AS1345同時集成了功率開關和輸出關斷用MOSFET。

由SenseFET和一個可以關斷啟動電阻器的高壓啟動電路以及待機狀態(tài)的“軟間歇(soft burst)”運作來實現(xiàn)的，可以節(jié)電30mW并防止轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生可聽見噪聲。

這兩款MOSFET同時具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。

Trench 3工藝的下一代MOSFET產(chǎn)品，可用于臺式機、筆記本和上網(wǎng)本等應用，有助于提升能效及開關性能，同時裸片尺寸更小。

氮化鎵(GaN)晶圓生產(chǎn)工藝、GaN器件集成工藝、GaN制造工藝、GaN封裝工藝、絕緣硅晶圓生產(chǎn)工藝、接觸/隔離溝槽工藝模塊、低電感封裝、電感和電容集成等眾多工藝技術.

功率模塊本身就是功率電子器件按一定的功能組合灌封而成的。說它是一種封裝技術一點也不為過。早期的功率模塊在單個封裝中整合多個閘流體/整流器，從而提供更高的額定功率。

在應用結構中，基帶芯片、多媒體應用芯片和存儲芯片仍然是手機芯片市場的前三大應用領域，合計占據(jù)總市場超過60%的份額。

在電壓高于1 kV的大功率晶體管方面，雙極結構已成為首選；低于1kV電壓，特別是頻率高于100kHz時，更多采用的是MOSFET。高于此電壓的大電流應用則選擇IGBT。

開發(fā)這類器件的主要挑戰(zhàn)在于，在開關頻率持續(xù)上升時，需要通過減小由導通阻抗導致的導電損耗、降低內(nèi)部電容，以及改善反向恢復性能，將內(nèi)部損耗降到最低。