USB 3.1主機(jī)端口實(shí)現(xiàn)對(duì)USB存儲(chǔ)介質(zhì)高達(dá)10倍數(shù)據(jù)傳輸速度
發(fā)布時(shí)間:2024/1/1 15:55:00 訪問(wèn)次數(shù):139
電阻的特點(diǎn)就是對(duì)流經(jīng)的電流形成阻礙,不論電流是直流還是交流,流經(jīng)電阻的電流就會(huì)在電阻兩端產(chǎn)生壓降。電阻最主要的參數(shù)是電阻值和額定功率。
電阻值反映了其阻礙電流通過(guò)能力的大小,基本單位是歐姆,簡(jiǎn)稱“歐”,單位符號(hào)是Ω。歐的單位相對(duì)較小,因此常用的單位還有千歐(kΩ)、兆歐(MΩ),它們之間的關(guān)系是1000Ω=lkΩ 1000kΩ=1MΩ
手機(jī)CIS產(chǎn)品線、數(shù)碼CIS產(chǎn)品線以及顯示驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線的最新動(dòng)態(tài),帶來(lái)了三款全新高像素產(chǎn)品——GC32E2、GC50E0和GC50B2。
這一系列升級(jí)成就了全新的4系B MSO混合信號(hào)示波器。原有的32位ARM處理器已被64位Intel Atom替換,并且操作系統(tǒng)已完全改版以充分利用新的硬件。新的架構(gòu)亮點(diǎn):
用戶界面的響應(yīng)速度提高至原來(lái)的兩倍。
遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)傳輸速度提高50%。
測(cè)量和串行解碼速度提高了兩倍以上。
除了處理器系統(tǒng)升級(jí)外,儀器的后部還增加了兩個(gè)USB 3.1主機(jī)端口,實(shí)現(xiàn)對(duì)USB存儲(chǔ)介質(zhì)高達(dá)10倍數(shù)據(jù)傳輸速度。
13.3英寸高清觸摸顯示屏采用了新的光學(xué)粘合技術(shù),提供更高對(duì)比度和更寬的視角。
為了提升可靠性和壽命,Bourns Multifuse®PPTC可復(fù)位保險(xiǎn)絲(包括MF-LSMF系列)皆采用電鍍無(wú)鉛鎳金(ENIG)鍍層于其SMD端子,ENIG鍍層使用一層薄而均勻的金屬覆蓋在一層鎳上,已被證明具有卓越的耐腐蝕性和優(yōu)異的電導(dǎo)率,并因其延長(zhǎng)的保存期限、卓越的可焊性和高可靠性而廣為電子業(yè)界接受。
Bourns開發(fā)此技術(shù)以滿足更大保持電流(Ihold)、增加額定電壓 (Vmax)、提高電阻穩(wěn)定性和縮小封裝空間等方面的嚴(yán)格保護(hù)需求。
電阻的特點(diǎn)就是對(duì)流經(jīng)的電流形成阻礙,不論電流是直流還是交流,流經(jīng)電阻的電流就會(huì)在電阻兩端產(chǎn)生壓降。電阻最主要的參數(shù)是電阻值和額定功率。
電阻值反映了其阻礙電流通過(guò)能力的大小,基本單位是歐姆,簡(jiǎn)稱“歐”,單位符號(hào)是Ω。歐的單位相對(duì)較小,因此常用的單位還有千歐(kΩ)、兆歐(MΩ),它們之間的關(guān)系是1000Ω=lkΩ 1000kΩ=1MΩ
手機(jī)CIS產(chǎn)品線、數(shù)碼CIS產(chǎn)品線以及顯示驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線的最新動(dòng)態(tài),帶來(lái)了三款全新高像素產(chǎn)品——GC32E2、GC50E0和GC50B2。
這一系列升級(jí)成就了全新的4系B MSO混合信號(hào)示波器。原有的32位ARM處理器已被64位Intel Atom替換,并且操作系統(tǒng)已完全改版以充分利用新的硬件。新的架構(gòu)亮點(diǎn):
用戶界面的響應(yīng)速度提高至原來(lái)的兩倍。
遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)傳輸速度提高50%。
測(cè)量和串行解碼速度提高了兩倍以上。
除了處理器系統(tǒng)升級(jí)外,儀器的后部還增加了兩個(gè)USB 3.1主機(jī)端口,實(shí)現(xiàn)對(duì)USB存儲(chǔ)介質(zhì)高達(dá)10倍數(shù)據(jù)傳輸速度。
13.3英寸高清觸摸顯示屏采用了新的光學(xué)粘合技術(shù),提供更高對(duì)比度和更寬的視角。
為了提升可靠性和壽命,Bourns Multifuse®PPTC可復(fù)位保險(xiǎn)絲(包括MF-LSMF系列)皆采用電鍍無(wú)鉛鎳金(ENIG)鍍層于其SMD端子,ENIG鍍層使用一層薄而均勻的金屬覆蓋在一層鎳上,已被證明具有卓越的耐腐蝕性和優(yōu)異的電導(dǎo)率,并因其延長(zhǎng)的保存期限、卓越的可焊性和高可靠性而廣為電子業(yè)界接受。
Bourns開發(fā)此技術(shù)以滿足更大保持電流(Ihold)、增加額定電壓 (Vmax)、提高電阻穩(wěn)定性和縮小封裝空間等方面的嚴(yán)格保護(hù)需求。
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