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設(shè)計誤差的裕量越來越小保持信號完整性也變得愈加困難

發(fā)布時間:2024/1/8 13:21:18 訪問次數(shù):82

DIGI-G5光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)(OTN)處理器和Acacia的AC1200相干模塊之間的互操作性,為這一重大轉(zhuǎn)型提供了支持。

通過將其與OTUCn和可變差分強度波長頻分復(fù)用(DWDM)相結(jié)合,它讓服務(wù)提供商能夠?qū)TN網(wǎng)絡(luò)容量最多提高70%。

地鐵和數(shù)據(jù)中心互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)需要100G以上的網(wǎng)速,而且可以通過調(diào)節(jié)網(wǎng)速最大化地利用帶寬,通過結(jié)合DIGI-G5和AC1200,下一代架構(gòu)將有助于滿足市場對上述網(wǎng)絡(luò)日益增長的需求。

面向DDR5測試的整體解決方案中又增加了一款新的接收機、發(fā)射機和協(xié)議測試解決方案。這意味著已經(jīng)能夠支持DDR5設(shè)計規(guī)范中的所有測試要求。

每一代新的DDR SDRAM都會提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,具備更小的體積和更高的功率效率。DDR技術(shù)的迅猛發(fā)展促使工程師們不斷面臨新的設(shè)計和驗證挑戰(zhàn)。設(shè)計誤差的裕量越來越小,保持信號完整性也變得愈加困難。

現(xiàn)有的3mm´2mm USON8封裝,這款新產(chǎn)品達到前所未有的1.5mm´1.5mm,縮小高達60%的占板面積.

測量電阻器時,將主參數(shù)設(shè)置為2,設(shè)置頻率和串并聯(lián)模式,最后將兩個線夾接電阻器兩只引腳即可測量。

一般阻值小于lOkΩ的電阻,采用100Hz頻率,串聯(lián)(SER)方式測量;不小于10kΩ的非電解電容,采用100Hz頻率,并聯(lián)(PAR)方式測量。

由于萬用表對于幾歐姆以上的電阻器,可以基本準確測量出其阻值,但對于1Ω以下的電阻器,無法準確測量其阻值,但數(shù)字電橋可以準確測量小阻值電阻的阻值。因此對于微電阻的測試,數(shù)字電橋就可以發(fā)揮其優(yōu)勢,如電感線圈阻值,變壓器線圈阻值等可以用數(shù)字電橋準確測量。

http://yushuo.51dzw.com深圳市裕碩科技有限公司


DIGI-G5光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)(OTN)處理器和Acacia的AC1200相干模塊之間的互操作性,為這一重大轉(zhuǎn)型提供了支持。

通過將其與OTUCn和可變差分強度波長頻分復(fù)用(DWDM)相結(jié)合,它讓服務(wù)提供商能夠?qū)TN網(wǎng)絡(luò)容量最多提高70%。

地鐵和數(shù)據(jù)中心互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)需要100G以上的網(wǎng)速,而且可以通過調(diào)節(jié)網(wǎng)速最大化地利用帶寬,通過結(jié)合DIGI-G5和AC1200,下一代架構(gòu)將有助于滿足市場對上述網(wǎng)絡(luò)日益增長的需求。

面向DDR5測試的整體解決方案中又增加了一款新的接收機、發(fā)射機和協(xié)議測試解決方案。這意味著已經(jīng)能夠支持DDR5設(shè)計規(guī)范中的所有測試要求。

每一代新的DDR SDRAM都會提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,具備更小的體積和更高的功率效率。DDR技術(shù)的迅猛發(fā)展促使工程師們不斷面臨新的設(shè)計和驗證挑戰(zhàn)。設(shè)計誤差的裕量越來越小,保持信號完整性也變得愈加困難。

現(xiàn)有的3mm´2mm USON8封裝,這款新產(chǎn)品達到前所未有的1.5mm´1.5mm,縮小高達60%的占板面積.

測量電阻器時,將主參數(shù)設(shè)置為2,設(shè)置頻率和串并聯(lián)模式,最后將兩個線夾接電阻器兩只引腳即可測量。

一般阻值小于lOkΩ的電阻,采用100Hz頻率,串聯(lián)(SER)方式測量;不小于10kΩ的非電解電容,采用100Hz頻率,并聯(lián)(PAR)方式測量。

由于萬用表對于幾歐姆以上的電阻器,可以基本準確測量出其阻值,但對于1Ω以下的電阻器,無法準確測量其阻值,但數(shù)字電橋可以準確測量小阻值電阻的阻值。因此對于微電阻的測試,數(shù)字電橋就可以發(fā)揮其優(yōu)勢,如電感線圈阻值,變壓器線圈阻值等可以用數(shù)字電橋準確測量。

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