超音速噴管收斂一擴張噴管,超音速噴管是一個先收斂后擴張形的管道。收斂段的出口現(xiàn)在已成為喉部,而出口則在喇叭形擴散段的末端。

當燃氣進入噴管的收斂段時,燃氣速度增加,靜壓相應降低。喉部的燃氣速度相當于此點音速。當燃氣離開喉部流人擴散段時,速度不斷增加,直到出口為止。

第三代FinFET立體晶體管技術，晶體管密度達到了每平方毫米1.008億個，是目前14nm的足足2.7倍!

10nm工藝晶體管密度不過每平方毫米5510萬個，僅相當于Intel的一半多，7nm則是每平方毫米1.0123億個，勉強高過Intel 10nm。

換言之，僅晶體管集成度而言，Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好!

Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠勝對手。

采用復雜的新型片上降噪電路，如黑電平箝位電路，使其能夠在低照環(huán)境下獲得高品質圖像。

CMV50000的突出性能使得制造商能夠用其來替代需要超高分辨率應用中的CCD圖像傳感器。相比CCD傳感器, CMOS圖像傳感器更易集成到相機系統(tǒng)，幀率更高，功耗更低。

每個輸出具有其自己的可個別設置分頻器和輸出驅動器。所有的輸出均可實現(xiàn)同步，并采用單獨的粗半周期數(shù)字延遲和細模擬時間延遲設定至精確的相位對齊校準。對于所需的總輸出超過11個的應用，可以采用EZSync™或ParallelSync™同步協(xié)議將多個LTC6952連接起來。