可焊性鎳阻擋層在260°C溫度下承受持續(xù)被浸入焊料30秒
發(fā)布時(shí)間:2024/1/15 23:25:13 訪問次數(shù):62
CR0603 電阻器的可用參數(shù)值從1R0到10M不等,容差值低至0.1%,除了可用于軍事和航空航天用途以外,這兩款產(chǎn)品還可用于其它特定用途,包括海底中繼器、主機(jī)系統(tǒng)和高可靠性系統(tǒng)。
將擋位開關(guān)撥到所需要的直流電流量程擋位;
將紅表筆接在萬用表的“mA°c非” (電流、溫度、電容測(cè)量)端,黑表筆接在“COM” (公共端),此時(shí)直流電流最大測(cè)量值為200mA;
將表筆串聯(lián)接到待測(cè)電路上,即可讀出測(cè)量數(shù)值.
對(duì)于這些損耗,可以通過使用Ansys Q3D,提取出典型核心電壓驅(qū)動(dòng)器和MOSFET(DrMOS)應(yīng)用的PCB主回路交流電阻(ACR),從而計(jì)算出相關(guān)的紋波電流ACR損耗。
PCB 主回路交流電阻的模型、仿真和測(cè)量同步降壓變換器的主要功率損耗可歸納為有源元件損耗(MOSFET直流和開關(guān)損耗、MOSFET驅(qū)動(dòng)器損耗)、無源元件損耗(電感直流電阻、交流電阻和核心損耗、電容等效串聯(lián)電阻損耗)和印刷電路板損耗(PCB直流電阻和交流電阻損耗)。
如果要測(cè)量大于200mA的直流電流,請(qǐng)將紅表筆插入“20A MAX”端,并將擋位開關(guān)撥至AˉT20A擋。
這兩個(gè)電阻器系列的焊接端頭上都有一個(gè)能夠確保卓越“滲濾浸出”性能和可焊性的鎳阻擋層,并且能在260°C溫度下承受持續(xù)被浸入焊料30秒。
這兩個(gè)系列產(chǎn)品的規(guī)定環(huán)境溫度范圍在-55至+155°C之間,并且結(jié)構(gòu)合理,具有一層帶涂釉有機(jī)保護(hù)層的厚膜電阻材料(絲網(wǎng)印刷在96% 氧化鋁基片上)。
CR0603 電阻器的可用參數(shù)值從1R0到10M不等,容差值低至0.1%,除了可用于軍事和航空航天用途以外,這兩款產(chǎn)品還可用于其它特定用途,包括海底中繼器、主機(jī)系統(tǒng)和高可靠性系統(tǒng)。
將擋位開關(guān)撥到所需要的直流電流量程擋位;
將紅表筆接在萬用表的“mA°c非” (電流、溫度、電容測(cè)量)端,黑表筆接在“COM” (公共端),此時(shí)直流電流最大測(cè)量值為200mA;
將表筆串聯(lián)接到待測(cè)電路上,即可讀出測(cè)量數(shù)值.
對(duì)于這些損耗,可以通過使用Ansys Q3D,提取出典型核心電壓驅(qū)動(dòng)器和MOSFET(DrMOS)應(yīng)用的PCB主回路交流電阻(ACR),從而計(jì)算出相關(guān)的紋波電流ACR損耗。
PCB 主回路交流電阻的模型、仿真和測(cè)量同步降壓變換器的主要功率損耗可歸納為有源元件損耗(MOSFET直流和開關(guān)損耗、MOSFET驅(qū)動(dòng)器損耗)、無源元件損耗(電感直流電阻、交流電阻和核心損耗、電容等效串聯(lián)電阻損耗)和印刷電路板損耗(PCB直流電阻和交流電阻損耗)。
如果要測(cè)量大于200mA的直流電流,請(qǐng)將紅表筆插入“20A MAX”端,并將擋位開關(guān)撥至AˉT20A擋。
這兩個(gè)電阻器系列的焊接端頭上都有一個(gè)能夠確保卓越“滲濾浸出”性能和可焊性的鎳阻擋層,并且能在260°C溫度下承受持續(xù)被浸入焊料30秒。
這兩個(gè)系列產(chǎn)品的規(guī)定環(huán)境溫度范圍在-55至+155°C之間,并且結(jié)構(gòu)合理,具有一層帶涂釉有機(jī)保護(hù)層的厚膜電阻材料(絲網(wǎng)印刷在96% 氧化鋁基片上)。
熱門點(diǎn)擊
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- 干擾的耦合方式無非是通過導(dǎo)線空間公共線等作用
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- Hittite寬帶固定值衰減器產(chǎn)品線提供2×
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