在多相降壓變換器的恒定導(dǎo)通時(shí)間(COT)架構(gòu)中，高速比較器代替了補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)中的誤差放大器(EA)。

在這種架構(gòu)中，輸出電壓(VOUT)通過(guò)反饋電阻進(jìn)行采樣，再與參考電壓(VREF)進(jìn)行比較。如果VOUT降至VREF以下，則上管MOSFET(HS-FET)導(dǎo)通。

由于MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間是固定的，因此變換器可以在穩(wěn)態(tài)下實(shí)現(xiàn)恒定頻率。如果存在負(fù)載階躍瞬變，變換器還可以大幅提高其脈沖頻率以最大限度地減少輸出下沖。但是，在這種情況下，非線性的環(huán)路控制會(huì)使環(huán)路調(diào)整復(fù)雜化。

通過(guò)在數(shù)字負(fù)載中集成低功率狀態(tài)來(lái)調(diào)整這種情況.此舉使得設(shè)備能在空閑時(shí)以更低電流運(yùn)行,在需要時(shí)再按全功率運(yùn)行.

這有利于控制整個(gè)系統(tǒng)的功率預(yù)算,但會(huì)給全功率端的電源設(shè)計(jì)人員帶來(lái)另一項(xiàng)挑戰(zhàn)。

測(cè)量的基本要求,測(cè)量基準(zhǔn)選擇合理;測(cè)量工具選用適當(dāng);測(cè)量方法選擇正確;測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確無(wú)誤。

電流源用一個(gè)恒定電流rs和內(nèi)阻rO并聯(lián).

在深度測(cè)量中具有明顯優(yōu)勢(shì)方法是面結(jié)構(gòu)光測(cè)量法,面結(jié)構(gòu)光測(cè)量將各種模式面結(jié)構(gòu)投影到被測(cè)物體上.

例如將分布較密集的均勻光柵投影到被測(cè)物體上面，由于被測(cè)物體表面凹凸不平，具有不同的深度，所以表面反射回來(lái)的光柵條紋會(huì)隨著表面不同的深度發(fā)生畸變，這個(gè)過(guò)程可以看作是由物體表面的深度信息對(duì)光柵的條紋進(jìn)行調(diào)制。

所以被測(cè)物體的表面信息也就被調(diào)制在反射回來(lái)的光柵之中。通過(guò)被測(cè)物體反射回來(lái)的光柵與參考光柵之間的幾何關(guān)系，分析得到每一個(gè)被測(cè)點(diǎn)之間的高度差和深度信息。