大功率功放需要變壓器提供更多的功率輸出， 那么，只有通過線圈匝數(shù)的增加、鐵芯體積的增大來實(shí)現(xiàn)，匝數(shù)和鐵芯體積的增加就會(huì)加重其損耗，所以，大功率功放的變壓器必須做的非常大，這樣就會(huì)導(dǎo)致： 笨重，發(fā)熱量大。

在電流進(jìn)入變壓器之前，通過晶體管的開關(guān)功能，將我們通常50HZ的電流頻率提升到數(shù)萬HZ，在這么高的頻率下，磁場(chǎng)變化頻率也達(dá)到幾萬HZ，那么，就可以減少線圈匝數(shù)、鐵芯體積獲得同樣的電壓轉(zhuǎn)化比，由于線圈匝數(shù)、鐵芯體積的減少，損耗大大降低，一般開關(guān)電源效率達(dá)到90%，而體積可以做的非常小，并且輸出穩(wěn)定，所以開關(guān)電源具有模擬電源難以達(dá)到的優(yōu)點(diǎn)。

若對(duì)板卡的充電不進(jìn)行控制,需要非常大的浪涌電流; 而對(duì)系統(tǒng)放電電流不控制, 會(huì)大大降低背板電壓。

因?yàn)槟軌虮O(jiān)控流經(jīng)內(nèi)部MOSFET的電流，并聯(lián)的多個(gè)MP5921器件可在軟啟動(dòng)條件下有效平衡流經(jīng)每個(gè)器件的電流。

這可確保每個(gè)器件均等地承載軟啟動(dòng)電流，并且沒有一個(gè)器件承載所有的軟啟動(dòng)負(fù)載電流。由于并聯(lián)器件之間的軟啟動(dòng)電流得到了平衡，因此極大地降低了MOSFET超出其安全工作區(qū)的風(fēng)險(xiǎn)，并且熱能可以更均勻地分布在PCB上。

用萬用表粗測(cè)被測(cè)電阻,根據(jù)粗測(cè)值調(diào)整好比較臂、比例臂,使電橋讀數(shù)(比較臂電阻值乘以比例臂倍率)與粗測(cè)值接近。最后將被測(cè)電阻接到電橋的“Rx”端對(duì)應(yīng)的兩個(gè)接線柱上。

主動(dòng)測(cè)距方法的基本思想是利用特定的、人為控制光源和聲源對(duì)物體目標(biāo)進(jìn)行照射，根據(jù)物體表面的反射特性及光學(xué)、聲學(xué)特性來獲取目標(biāo)的三維信息。其特點(diǎn)是具有較高的測(cè)距精度、抗干擾能力和實(shí)時(shí)性，具有代表性的主動(dòng)測(cè)距方法有結(jié)構(gòu)光法、飛行時(shí)間法、和三角測(cè)距法。

根據(jù)投影光束形態(tài)的不同，結(jié)構(gòu)光法又可分為光點(diǎn)式結(jié)構(gòu)光法、光條式結(jié)構(gòu)光法和光面式結(jié)構(gòu)光法等。