模擬和數(shù)字調(diào)光方法都能將LED亮度降至最大亮度的0.5%
發(fā)布時(shí)間:2024/1/17 22:20:12 訪問次數(shù):49
高頻信號(hào)發(fā)生器的作用及組成高頻信號(hào)發(fā)生器是一種向電子設(shè)各和電路提供等幅正弦和調(diào)制波的高頻信號(hào)源,其工作頻率一般為100kHz~35MHz,主要用于各種接收機(jī)靈敏度、選擇性等參數(shù)的測(cè)量。高頻信號(hào)發(fā)生器按調(diào)制類型不同可分為調(diào)幅和調(diào)頻兩種。
高頻信號(hào)發(fā)生器的使用方法下面以XFG-7型高頻信號(hào)發(fā)生器為例介紹其使用方法。
XFG-7型高頻信號(hào)發(fā)生器可輸出電平可調(diào)、工作頻率為100kHz~3oMHz的高頻信號(hào),并且可以實(shí)現(xiàn)調(diào)幅信號(hào)的輸出。
光學(xué)心率傳感器可以測(cè)得的結(jié)果:
呼吸率,休息時(shí)的呼吸率越低,通常這表明身體狀況越好。
最大攝氧量(VO2max)–VO2測(cè)量人體可以攝入的最大氧氣量,是人們廣泛使用的有氧耐力指標(biāo)。
血氧水平(SpO2)-是指血液中的氧氣濃度。
R-R間期(心率變異率)-R-R間期是血脈沖的間隔時(shí)間;一般而言,心跳間隔時(shí)間越長越好。R-R間期分析,可用作壓力水平和不同心臟問題的指標(biāo)。
血壓通過PPG傳感器信號(hào),無需使用血壓計(jì)即可測(cè)量血壓。
數(shù)控LED驅(qū)動(dòng)器可以輸出75W的功率,模擬和數(shù)字調(diào)光方法都能將LED亮度降至最大亮度的0.5%。
不論使用那種調(diào)光技術(shù),LED無閃爍可保持到0.5%亮度,這使其成為市場(chǎng)上獨(dú)一無二的LED驅(qū)動(dòng)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在寬輸入電壓和負(fù)載條件下,這款驅(qū)動(dòng)器的能效很高,功率因數(shù)接近1,THD%失真度低,這歸功于電源產(chǎn)品的性能優(yōu)異以及在32位STM32F0 MCU上實(shí)現(xiàn)的控制策略。
此外,在噪聲條件下,數(shù)字控制的穩(wěn)定性高于模擬控制:數(shù)控解決方案不易受到元件容差、溫度變化和電壓漂移的影響。
高頻信號(hào)發(fā)生器的作用及組成高頻信號(hào)發(fā)生器是一種向電子設(shè)各和電路提供等幅正弦和調(diào)制波的高頻信號(hào)源,其工作頻率一般為100kHz~35MHz,主要用于各種接收機(jī)靈敏度、選擇性等參數(shù)的測(cè)量。高頻信號(hào)發(fā)生器按調(diào)制類型不同可分為調(diào)幅和調(diào)頻兩種。
高頻信號(hào)發(fā)生器的使用方法下面以XFG-7型高頻信號(hào)發(fā)生器為例介紹其使用方法。
XFG-7型高頻信號(hào)發(fā)生器可輸出電平可調(diào)、工作頻率為100kHz~3oMHz的高頻信號(hào),并且可以實(shí)現(xiàn)調(diào)幅信號(hào)的輸出。
光學(xué)心率傳感器可以測(cè)得的結(jié)果:
呼吸率,休息時(shí)的呼吸率越低,通常這表明身體狀況越好。
最大攝氧量(VO2max)–VO2測(cè)量人體可以攝入的最大氧氣量,是人們廣泛使用的有氧耐力指標(biāo)。
血氧水平(SpO2)-是指血液中的氧氣濃度。
R-R間期(心率變異率)-R-R間期是血脈沖的間隔時(shí)間;一般而言,心跳間隔時(shí)間越長越好。R-R間期分析,可用作壓力水平和不同心臟問題的指標(biāo)。
血壓通過PPG傳感器信號(hào),無需使用血壓計(jì)即可測(cè)量血壓。
數(shù)控LED驅(qū)動(dòng)器可以輸出75W的功率,模擬和數(shù)字調(diào)光方法都能將LED亮度降至最大亮度的0.5%。
不論使用那種調(diào)光技術(shù),LED無閃爍可保持到0.5%亮度,這使其成為市場(chǎng)上獨(dú)一無二的LED驅(qū)動(dòng)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在寬輸入電壓和負(fù)載條件下,這款驅(qū)動(dòng)器的能效很高,功率因數(shù)接近1,THD%失真度低,這歸功于電源產(chǎn)品的性能優(yōu)異以及在32位STM32F0 MCU上實(shí)現(xiàn)的控制策略。
此外,在噪聲條件下,數(shù)字控制的穩(wěn)定性高于模擬控制:數(shù)控解決方案不易受到元件容差、溫度變化和電壓漂移的影響。
熱門點(diǎn)擊
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- FET技術(shù)具有大約20MHz至30MHz的高
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推薦技術(shù)資料
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