1200伏氮化鎵設(shè)備是一種半橋模塊，在單一封裝中將氮化鎵高晶體管(HEMTs)與Push-pull電路、過流和過熱保護等電路結(jié)合在一起。

新的方案不僅僅是Flash卡和Wi-Fi結(jié)合起來，而且整合了網(wǎng)頁服務(wù)器(Webserver)的功能。即“Flash存儲、Wi-Fi、Webserver”三合一，用在有SD卡槽的終端設(shè)備上，實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用。

FFSA介于FPGA和ASIC之間。FPGA的初期投入比較少，開發(fā)靈活而快，但一旦投入量產(chǎn)，成本和功耗非常高。ASIC的研發(fā)周期較長，而且先期的一次投入費用較高。因此可以用FPGA設(shè)計電路，需要降低成本的時候，再轉(zhuǎn)到FFSA上。

器件的開關(guān)損耗較碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管降低3到5倍。

設(shè)計者利用VisIC的1200伏氮化鎵模塊,可以在不影響性能的情況下,顯著減少系統(tǒng)的大小,由此制造超小型電動汽車充電器,將其用于電動汽車或針對工業(yè)應(yīng)用的高效電機驅(qū)動。

氮化鎵產(chǎn)品在滿足高電壓、高電流市場需求方面幾乎沒有限制。這項制造合作將支持VisIC快速提高產(chǎn)能。我很高興與臺積電進行合作。他們是卓越的世界級供應(yīng)鏈合作伙伴，而我相信他們能夠為我們對氮化鎵功率設(shè)備的空前增長預(yù)期提供支持。

氮化鎵制造能力進行了重大的資本與工程投資，而這使該平臺非常適合滿足及支持VisIC及其客戶的需求。在VisIC推出這個全新平臺之際，我們期待與該公司進行合作。

除了不間斷電源和xEV充電系統(tǒng)之外，1200伏氮化鎵技術(shù)還能支持一系列廣泛的逆變器應(yīng)用，這些逆變器應(yīng)用需要數(shù)百安培的大電流。這種高電流應(yīng)用對器件的依賴需要由臺積所提供的高電壓氮化鎵制造能力來支撐。

相比于硅或碳化硅，氮化鎵擁有更好的基本物理特性，例如最大擊穿電場強度和電流密度。