字式I2C輸出和0-5V模擬輸出及溫度補(bǔ)償電路用于復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)
發(fā)布時間:2024/2/15 20:40:02 訪問次數(shù):40
流量傳感器采用了一系列具有極佳信噪比的MEMS熱電偶.憑借固態(tài)熱隔離式有源 MEMS感測元件和硅化碳薄膜涂層，IDT流量傳感器實現(xiàn)了出色的耐磨性能和長期可靠性。
FS1012是未經(jīng)校準(zhǔn)的獨立流量傳感器模塊，工作電壓為3V至5V，并具有毫伏級模擬輸出。FS2012是經(jīng)過完全校準(zhǔn)的FS1012流量傳感器，具有數(shù)字式I2C輸出和0-5V模擬輸出及溫度補(bǔ)償電路，為用于復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的即插即用模塊。
FS2012模塊測得的讀數(shù)精度達(dá)到了2%，在高流速和低流速應(yīng)用中都能提供高精度。
新型MSP430FR2000和MSP430FR2100 MCU(分別具有0.5 KB和1 KB內(nèi)存)和新型開發(fā)套件加入MSP430超值傳感系列，該系列包括MSP430FR2111、MSP430FR2311、MSP430FR2033,MSP430FR2433和MSP430FR4133微控制器系列及相關(guān)的開發(fā)工具和軟件。
當(dāng)人體觸及漏電的電氣設(shè)各的外殼時,因金屬外殼已與大地作良好的連接.其接地電阻較之人體電阻小很多(在低壓系統(tǒng)中,當(dāng)電源容量小于100kV・A時,接地電阻不應(yīng)超過10Ω;
為了滿足移動應(yīng)用需求，改進(jìn)了待機(jī)(待機(jī))模式，同時還首次在藍(lán)碧石FeRAM中搭載了睡眠(休眠)模式，以限制數(shù)據(jù)量增加導(dǎo)致的功耗増加。
流量傳感器采用了一系列具有極佳信噪比的MEMS熱電偶.憑借固態(tài)熱隔離式有源 MEMS感測元件和硅化碳薄膜涂層，IDT流量傳感器實現(xiàn)了出色的耐磨性能和長期可靠性。
FS1012是未經(jīng)校準(zhǔn)的獨立流量傳感器模塊，工作電壓為3V至5V，并具有毫伏級模擬輸出。FS2012是經(jīng)過完全校準(zhǔn)的FS1012流量傳感器，具有數(shù)字式I2C輸出和0-5V模擬輸出及溫度補(bǔ)償電路，為用于復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的即插即用模塊。
FS2012模塊測得的讀數(shù)精度達(dá)到了2%，在高流速和低流速應(yīng)用中都能提供高精度。
新型MSP430FR2000和MSP430FR2100 MCU(分別具有0.5 KB和1 KB內(nèi)存)和新型開發(fā)套件加入MSP430超值傳感系列，該系列包括MSP430FR2111、MSP430FR2311、MSP430FR2033,MSP430FR2433和MSP430FR4133微控制器系列及相關(guān)的開發(fā)工具和軟件。
當(dāng)人體觸及漏電的電氣設(shè)各的外殼時,因金屬外殼已與大地作良好的連接.其接地電阻較之人體電阻小很多(在低壓系統(tǒng)中,當(dāng)電源容量小于100kV・A時,接地電阻不應(yīng)超過10Ω;
為了滿足移動應(yīng)用需求，改進(jìn)了待機(jī)(待機(jī))模式，同時還首次在藍(lán)碧石FeRAM中搭載了睡眠(休眠)模式，以限制數(shù)據(jù)量增加導(dǎo)致的功耗増加。
相關(guān)技術(shù)資料- 7-31200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片應(yīng)用詳情
- 7-3高帶寬內(nèi)存（HBM）和芯片間互連（ICI）應(yīng)用探究
- 7-3第七代TPU—Ironwood技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- 7-3Neuralink新款“心靈感應(yīng)”腦機(jī)接口N1芯片
- 7-3IR最新功率MOSFET的300V器件系列
- 7-3全新第4代SiC MOSFET技術(shù)平臺應(yīng)用解釋
- 7-2高性能 32 位 RISC-V MCU技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- 7-2全新無線通信模組— ML3219D
- 7-26納米制程射頻（RF）和藍(lán)牙先進(jìn)連接芯片
- 7-2先進(jìn)芯片和功率芯片市場需求及發(fā)展趨勢
- 7-2海思凌霄網(wǎng)絡(luò)760解決方案解讀
- 7-2新型無線短距通信星閃技術(shù)（NearLink）
熱門點擊
- 導(dǎo)線淚電電流通過零線形成閉合回路,使零線帶一
- 范式轉(zhuǎn)變在于AR0144能夠采用比前幾代傳感
- 低功耗顯著延長電池使用壽命有效提升電池類產(chǎn)品
- 延長設(shè)備中單節(jié)鋰離子電池鎳鋰電池和鋰聚合物電
- 將傳統(tǒng)以太網(wǎng)鏈路聚合(LAG)的帶寬效率提高
- 模擬器效率高不會因直接處理代碼導(dǎo)致性能嚴(yán)重?fù)p
- 風(fēng)槍嘴在元件上方2-3cm處對準(zhǔn)元件加熱3秒
- 表面貼裝型IPM這些產(chǎn)品將有助于推動變頻家電
- 改錐一字頭伸人可變電阻的一字槽里左右旋轉(zhuǎn)調(diào)整
- 通過定期檢測老化狀況可以預(yù)防這些問題并維持系
推薦技術(shù)資料
- 1200 V CoolSiC MOSFET
- 高帶寬內(nèi)存（HBM）和芯片間互連（ICI）應(yīng)
- 第七代TPU—Ironwood
- Neuralink新款“心靈感
- IR最新功率MOSFET的30
- 全新第4代SiC MOSFET
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
