“MR45V100A”作為SPI注2總線產(chǎn)品，在1.8V～3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)均實現(xiàn)40MHz的高速工作。

這使得該款產(chǎn)品作為大容量的1Mbit FeRAM，在諸如不穩(wěn)定的電源環(huán)境下的電壓急劇下降時也可高速穩(wěn)定工作，其高速數(shù)據(jù)備份功能有助于提高配套應用的可靠性。而“MR44V100A”作為不同的串行總線I2C注3總線產(chǎn)品，則非常適用于不需要速度的應用。

在1Mbit FeRAM中分別實現(xiàn)了業(yè)界最小級別※的待機電流10µA(平均)和睡眠電流0.1µA(平均)，使產(chǎn)品還可用于重視電池驅(qū)動時間的支付終端和數(shù)據(jù)記錄儀等手持終端和移動設備/終端。

該芯片組具多項主要特性和優(yōu)勢，包括陶瓷插針網(wǎng)格數(shù)組封裝(CPGA)減少了數(shù)字微型反射鏡組件(DMD)65%的空間，也能夠減少圖像產(chǎn)生單元(PGU)的設計。

操作的溫度范圍為-40至105攝氏度，并提供全色域(國家電視系統(tǒng)委員會(NTSC)的125%)的15,000 cd/m2亮度，無論溫度變化或是極光化，都可呈現(xiàn)清晰的影像顯示。

在VIDs超過7.5公尺所產(chǎn)生的太陽光照射下也能輕松應用，同時支持最大12°×5°FOV的大型顯示器。 支持使用傳統(tǒng)LEDs的HUD設計，以及用于全息影像波導式HUD的雷射投影。

通過耗測試對比，L0、L4和L4+的功耗差不多，但是L4+提供了更豐富的資源，STM32L4+的片上大容量存儲器包括640KB的SRAM，可以輔助高速運算性能，最大限度提升圖形處理性能。

這兩款傳感器沒有運動部件，也沒有空腔上方脆弱的隔膜，避免了傳感器元件堵塞，不用擔心液體壓力敏感性問題，同時具備出色的抗震性能，并能防止化學物質(zhì)損傷傳感器元件，因此尤其適合對可靠性、耐用性和交叉污染要求嚴格的醫(yī)療、工業(yè)和食品級消費類應用。