在SLC緩存里面進(jìn)行，但是當(dāng)一次性寫(xiě)入的數(shù)據(jù)超過(guò)SLC緩存容量的時(shí)候，SSD的寫(xiě)入性能會(huì)大幅度降低，特別是TLC SSD在這種情況下，寫(xiě)入速度基本上都是可憐的幾十MB/s（閃存顆粒的擦除速度很慢，比寫(xiě)入速度更慢，所以SLC緩存寫(xiě)滿(mǎn)后需要一定的時(shí)間才能完全釋放供下次使用）。

QLC每Cell可以存放4bits數(shù)據(jù)，相比TLC，存儲(chǔ)密度又提高了33%，但是電壓變化卻有16種之多，導(dǎo)致可擦寫(xiě)壽命僅有100~150次。

單Cell的讀寫(xiě)速度目前沒(méi)有廠商公開(kāi)資料，預(yù)計(jì)相比TLC還要進(jìn)一步降低。

與5系列MSO一樣，6系列MSO可以全面升級(jí)，并可以選配內(nèi)置任意波形/函數(shù)發(fā)生器，在產(chǎn)品注冊(cè)后可以免費(fèi)獲得DVM和觸發(fā)頻率計(jì)數(shù)器，另外還有多種協(xié)議選項(xiàng)，且還可以選配Win10操作系統(tǒng)。

對(duì)下一代平臺(tái)，致力增加更多功能，以滿(mǎn)足迅速變化的市場(chǎng)要求，為工程師提供信心，確保他們?cè)谶x擇這些示波器時(shí)，相信自己的選擇是正確的。

為滿(mǎn)足進(jìn)一步查看更快速信號(hào)的需求，6系列MSO采用新型低噪聲放大器ASIC——TEK061，大大降低了噪聲，特別是對(duì)幾百毫伏峰峰值的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試。

這不僅可延長(zhǎng)由內(nèi)置電池供電的電子貨架標(biāo)簽等應(yīng)用的使用壽命，還有助于延長(zhǎng)配備充電電池的智能手機(jī)等應(yīng)用的續(xù)航時(shí)間。

消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備等各種應(yīng)用都需要進(jìn)行更復(fù)雜的控制，因此用來(lái)對(duì)溫度、濕度、振動(dòng)、壓力、流量等進(jìn)行數(shù)字化的傳感器，以及用來(lái)放大傳感器信號(hào)的運(yùn)算放大器的重要性日益凸顯。

在－40℃～＋105℃的工作溫度范圍內(nèi)，靜態(tài)電流幾乎不變，因此即使在火災(zāi)報(bào)警器和環(huán)境傳感器等外部溫度會(huì)發(fā)生變化的環(huán)境中，也能穩(wěn)定地省電運(yùn)行。

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