閃存區(qū)塊數(shù)據(jù)不可直接覆寫所有SSD存在一個寫入放大率問題
發(fā)布時間:2024/3/8 8:49:17 訪問次數(shù):134
閃存顆粒中數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大大小為256K~20MB之間。由于閃存區(qū)塊數(shù)據(jù)不可直接覆寫,因此所有的SSD都存在一個寫入放大率的問題。
閃存顆粒有P/E擦寫次數(shù)限制,因此目前的SSD都有帶有均衡擦寫技術(shù),拷貝到SSD的數(shù)據(jù)不會像機(jī)械硬盤那樣連續(xù)放在一起。
當(dāng)4KB數(shù)據(jù)要寫入閃存區(qū)塊時,如果64KB的區(qū)塊已經(jīng)存放了48K的數(shù)據(jù),那么不好意思,需要將原有的48K數(shù)據(jù)先復(fù)制到內(nèi)存,然后主控將閃存區(qū)塊的數(shù)據(jù)全部擦除,最后才會將要寫入的4K數(shù)據(jù)與原有的48K數(shù)據(jù)一起寫入閃存。實際上一共寫入了52KB的數(shù)據(jù),此時的寫入放大率就是52/4=13。
SSD的可用空間越多,出現(xiàn)這種情況的幾率越低。當(dāng)SSD可用空間所剩無幾的時候,寫入放大率會隨之變大,SSD的讀寫速度則會急劇降低。
當(dāng)4KB數(shù)據(jù)要寫入閃存區(qū)塊時,如果整個區(qū)塊正好是空的,那么4K數(shù)據(jù)就直接寫入,寫入放大率就是1。
MGJ2B和MGJ1 SIP系列直流-直流轉(zhuǎn)換器也非常適合橋式電路中的IGBT/SiC和MOSFET柵極驅(qū)動,MGJ1 SIP還支持+12V、+8V和+6V/-3V的GaN電壓。
為了在密集的城市地區(qū)和擁擠的室內(nèi)環(huán)境中提供高網(wǎng)絡(luò)吞吐量,QTM052支持高達(dá)800MHz的帶寬,使用先進(jìn)的波束形成、波束轉(zhuǎn)向和波束跟蹤技術(shù)來改進(jìn)mmWave信號。
該模塊包括5G無線電收發(fā)器、電源管理IC、RF前端和相控天線陣,與Snapdragon X50調(diào)制解調(diào)器配合形成完整的系統(tǒng)。
閃存顆粒中數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大大小為256K~20MB之間。由于閃存區(qū)塊數(shù)據(jù)不可直接覆寫,因此所有的SSD都存在一個寫入放大率的問題。
閃存顆粒有P/E擦寫次數(shù)限制,因此目前的SSD都有帶有均衡擦寫技術(shù),拷貝到SSD的數(shù)據(jù)不會像機(jī)械硬盤那樣連續(xù)放在一起。
當(dāng)4KB數(shù)據(jù)要寫入閃存區(qū)塊時,如果64KB的區(qū)塊已經(jīng)存放了48K的數(shù)據(jù),那么不好意思,需要將原有的48K數(shù)據(jù)先復(fù)制到內(nèi)存,然后主控將閃存區(qū)塊的數(shù)據(jù)全部擦除,最后才會將要寫入的4K數(shù)據(jù)與原有的48K數(shù)據(jù)一起寫入閃存。實際上一共寫入了52KB的數(shù)據(jù),此時的寫入放大率就是52/4=13。
SSD的可用空間越多,出現(xiàn)這種情況的幾率越低。當(dāng)SSD可用空間所剩無幾的時候,寫入放大率會隨之變大,SSD的讀寫速度則會急劇降低。
當(dāng)4KB數(shù)據(jù)要寫入閃存區(qū)塊時,如果整個區(qū)塊正好是空的,那么4K數(shù)據(jù)就直接寫入,寫入放大率就是1。
MGJ2B和MGJ1 SIP系列直流-直流轉(zhuǎn)換器也非常適合橋式電路中的IGBT/SiC和MOSFET柵極驅(qū)動,MGJ1 SIP還支持+12V、+8V和+6V/-3V的GaN電壓。
為了在密集的城市地區(qū)和擁擠的室內(nèi)環(huán)境中提供高網(wǎng)絡(luò)吞吐量,QTM052支持高達(dá)800MHz的帶寬,使用先進(jìn)的波束形成、波束轉(zhuǎn)向和波束跟蹤技術(shù)來改進(jìn)mmWave信號。
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