二次繞組應(yīng)與高壓包拉開距離可安裝在高壓包另一側(cè)磁柱上
發(fā)布時(shí)間:2024/3/10 16:36:04 訪問次數(shù):82
由于該技術(shù)大力降低了電磁干擾(EMI),與上一代產(chǎn)品相比,SPM31 IPM的功率損耗降低了多達(dá)10%,功率密度提高了多達(dá)9%,IGBT芯片尺寸縮小了20%。
功率密度的提高有助于設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化布局,騰出熱泵系統(tǒng)中的寶貴空間,同時(shí)提高效率。SPM31 IPM提供多種額定電流選項(xiàng),范圍從15至35安培(A)不等。
調(diào)整負(fù)載為最小負(fù)載,輸入電壓為額定電壓,對(duì)電源模塊反復(fù)開關(guān)機(jī),時(shí)長(zhǎng)2小時(shí),電源模塊開關(guān)機(jī)應(yīng)正常。
Cl-C3均選用耐壓值為630V的CBB電容器;C4-C13均選用耐壓值為lkV的高壓瓷介電容器。
VDl-VD6均選用1N4007型硅整流二極管;VD7-VDl6均選用耐壓值為2OkV高壓整流硅堆。
VTl-VT均選用3A、800V的晶同管。
Tl-T3使用14in黑白電視機(jī)的行輸出變壓器改制:一次繞組用φ0.41mm的高強(qiáng)度漆包線繞50匝,二次繞組使用原行輸出變壓器的高壓包,安裝時(shí),二次繞組應(yīng)與高壓包拉開距離,可安裝在高壓包另一側(cè)磁柱上。
S選用5A、220V的雙極開關(guān)。
EL選用220V、2OOW的白熾燈泡。
利用融入了以往確立的“Nano Energy”電路技術(shù)的升級(jí)技術(shù)——超低靜態(tài)電流技術(shù),ROHM開發(fā)出靜態(tài)電流達(dá)到世界超低水平的運(yùn)算放大器。
新產(chǎn)品采用ROHM自有的超低靜態(tài)電流技術(shù),徹底抑制了因溫度和電壓變化而導(dǎo)致的電流增加問題,與普通的低靜態(tài)電流運(yùn)算放大器相比,靜態(tài)電流減少約38%,僅為160nA(Typ.)。
這不僅可延長(zhǎng)由內(nèi)置電池供電的電子貨架標(biāo)簽等應(yīng)用的使用壽命,還有助于延長(zhǎng)配備充電電池的智能手機(jī)等應(yīng)用的續(xù)航時(shí)間。
由于該技術(shù)大力降低了電磁干擾(EMI),與上一代產(chǎn)品相比,SPM31 IPM的功率損耗降低了多達(dá)10%,功率密度提高了多達(dá)9%,IGBT芯片尺寸縮小了20%。
功率密度的提高有助于設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化布局,騰出熱泵系統(tǒng)中的寶貴空間,同時(shí)提高效率。SPM31 IPM提供多種額定電流選項(xiàng),范圍從15至35安培(A)不等。
調(diào)整負(fù)載為最小負(fù)載,輸入電壓為額定電壓,對(duì)電源模塊反復(fù)開關(guān)機(jī),時(shí)長(zhǎng)2小時(shí),電源模塊開關(guān)機(jī)應(yīng)正常。
Cl-C3均選用耐壓值為630V的CBB電容器;C4-C13均選用耐壓值為lkV的高壓瓷介電容器。
VDl-VD6均選用1N4007型硅整流二極管;VD7-VDl6均選用耐壓值為2OkV高壓整流硅堆。
VTl-VT均選用3A、800V的晶同管。
Tl-T3使用14in黑白電視機(jī)的行輸出變壓器改制:一次繞組用φ0.41mm的高強(qiáng)度漆包線繞50匝,二次繞組使用原行輸出變壓器的高壓包,安裝時(shí),二次繞組應(yīng)與高壓包拉開距離,可安裝在高壓包另一側(cè)磁柱上。
S選用5A、220V的雙極開關(guān)。
EL選用220V、2OOW的白熾燈泡。
利用融入了以往確立的“Nano Energy”電路技術(shù)的升級(jí)技術(shù)——超低靜態(tài)電流技術(shù),ROHM開發(fā)出靜態(tài)電流達(dá)到世界超低水平的運(yùn)算放大器。
新產(chǎn)品采用ROHM自有的超低靜態(tài)電流技術(shù),徹底抑制了因溫度和電壓變化而導(dǎo)致的電流增加問題,與普通的低靜態(tài)電流運(yùn)算放大器相比,靜態(tài)電流減少約38%,僅為160nA(Typ.)。
這不僅可延長(zhǎng)由內(nèi)置電池供電的電子貨架標(biāo)簽等應(yīng)用的使用壽命,還有助于延長(zhǎng)配備充電電池的智能手機(jī)等應(yīng)用的續(xù)航時(shí)間。
熱門點(diǎn)擊
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推薦技術(shù)資料
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