二次繞組應(yīng)與高壓包拉開距離可安裝在高壓包另一側(cè)磁柱上

發(fā)布時(shí)間:2024/3/10 16:36:04 訪問次數(shù):83

由于該技術(shù)大力降低了電磁干擾(EMI)，與上一代產(chǎn)品相比，SPM31 IPM的功率損耗降低了多達(dá)10％，功率密度提高了多達(dá)9％，IGBT芯片尺寸縮小了20％。

功率密度的提高有助于設(shè)計(jì)人員簡化布局，騰出熱泵系統(tǒng)中的寶貴空間，同時(shí)提高效率。SPM31 IPM提供多種額定電流選項(xiàng)，范圍從15至35安培(A)不等。

調(diào)整負(fù)載為最小負(fù)載，輸入電壓為額定電壓，對電源模塊反復(fù)開關(guān)機(jī)，時(shí)長2小時(shí)，電源模塊開關(guān)機(jī)應(yīng)正常。

元器件選擇,Rl-R3均選用1/2W金屬膜電阻器。

Cl-C3均選用耐壓值為630V的CBB電容器;C4-C13均選用耐壓值為lkV的高壓瓷介電容器。

VDl-VD6均選用1N4007型硅整流二極管;VD7-VDl6均選用耐壓值為2OkV高壓整流硅堆。

VTl-VT均選用3A、800V的晶同管。

Tl-T3使用14in黑白電視機(jī)的行輸出變壓器改制:一次繞組用φ0.41mm的高強(qiáng)度漆包線繞50匝，二次繞組使用原行輸出變壓器的高壓包,安裝時(shí),二次繞組應(yīng)與高壓包拉開距離,可安裝在高壓包另一側(cè)磁柱上。

S選用5A、220V的雙極開關(guān)。

EL選用220V、2OOW的白熾燈泡。

在這種背景下，ROHM正在加速開發(fā)滿足“高精度”且“低靜態(tài)電流”兩種需求的運(yùn)算放大器產(chǎn)品。

利用融入了以往確立的“Nano Energy”電路技術(shù)的升級(jí)技術(shù)——超低靜態(tài)電流技術(shù)，ROHM開發(fā)出靜態(tài)電流達(dá)到世界超低水平的運(yùn)算放大器。

新產(chǎn)品采用ROHM自有的超低靜態(tài)電流技術(shù),徹底抑制了因溫度和電壓變化而導(dǎo)致的電流增加問題，與普通的低靜態(tài)電流運(yùn)算放大器相比,靜態(tài)電流減少約38%，僅為160nA（Typ.）。

這不僅可延長由內(nèi)置電池供電的電子貨架標(biāo)簽等應(yīng)用的使用壽命，還有助于延長配備充電電池的智能手機(jī)等應(yīng)用的續(xù)航時(shí)間。