電子設(shè)備的核心是半導(dǎo)體芯片,為了提高電路的密度，芯片的特征尺寸始終朝著減小的趨勢(shì)發(fā)展，從最初的幾十微米發(fā)展到目前的0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米乃至90納米。

現(xiàn)代電子系統(tǒng)正在向高速、高增益、高可靠性方向發(fā)展，電源上的微小干擾都對(duì)電子設(shè)備的性能有影響，這就需要在噪聲、紋波等方面有優(yōu)勢(shì)的電源，需要對(duì)系統(tǒng)電源進(jìn)行穩(wěn)壓、濾波等處理，這就需要用到線性電源。

不同的電源管理方式，可以通過(guò)相應(yīng)的電源芯片，結(jié)合極少的外圍元件，就能夠?qū)崿F(xiàn)。可見(jiàn)，發(fā)展電源管理芯片是提高整機(jī)性能的必不可少的手段。

零點(diǎn)通常由放大器的輸入失調(diào)電壓除以RSENSE決定。LTC2063的低輸入失調(diào)電壓典型值為1µV，最大值為5µV，低輸入偏置和失調(diào)電流典型值為1pA至3pA，因此，折合到輸入端的零點(diǎn)誤差電流典型值僅為10µA(1µV/0.1Ω)，最大值為50µA (5µV/0.1Ω)。

這種低誤差使檢測(cè)電路能夠在低至其指定范圍內(nèi)的最小電流(100µA)時(shí)仍然保持其線性度，不會(huì)因分辨率損耗而在低量程范圍內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)固定的失調(diào)值導(dǎo)致線性度變平。

移相全橋軟開(kāi)關(guān)電路，即將Boost電路與全橋變換器合成一起組成單級(jí)PFC電路，該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、效率高，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入電流的整定，又可以工作在較大功率場(chǎng)合，發(fā)揮了全橋電路的優(yōu)勢(shì)。

單片機(jī)通過(guò)檢測(cè)充電電流、電壓及溫度與充電前的設(shè)定值進(jìn)行比較，控制輸出4路PWM波到4個(gè)IGBT的柵極，從而控制其集電極到發(fā)射極電流通斷時(shí)間，達(dá)到控制輸出電壓的目的。

直流電通過(guò)由4個(gè)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組成的全橋逆變器，得到電壓可調(diào)的高頻交流電，經(jīng)高頻變壓器耦合到副邊，再經(jīng)全橋整流，最后經(jīng)電感電容濾波得到紋波很小的直流電為蓄電池充電。

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