LTC2063的低輸入失調(diào)電壓典型值為1µV，最大值為5µV，低輸入偏置和失調(diào)電流典型值為1pA至3pA，因此，折合到輸入端的零點(diǎn)誤差電流典型值僅為10µA(1µV/0.1Ω)，最大值為50µA(5µV/0.1Ω)。

寬帶塑封和單片微波集成電路(MMIC)器件。新產(chǎn)品擴(kuò)充了不斷增長的高性能寬帶MMIC產(chǎn)品組合，包括四個(gè)塑封低噪聲放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3;一個(gè)寬帶功率放大器(PA)芯片MMA053AA;以及兩個(gè)塑封開關(guān)MMS006PP3和MMS008PP3。

這些器件封裝在小型5mm塑料QFN封裝中，是尺寸受限應(yīng)用的理想選擇。

提升功率密度的同時(shí)還是要考慮系統(tǒng)散熱，芯片體積越來越小，但是流過它們的功率越來越大，芯片散熱也成為了一個(gè)挑戰(zhàn)。

保障100V GaN產(chǎn)品系列熱性能的關(guān)鍵要素是熱增強(qiáng)雙面冷卻封裝。借助該技術(shù)，這款器件可以比同類集成式GaN器件更高效地從兩面散熱，并提供優(yōu)化的熱阻。

根據(jù)其電源電壓區(qū)分，在不知道數(shù)字集成電路型號的情況下，若其能在3~4.5V或5.5~18V的電壓下正常工作，則可以肯定它是CMOS電路。

由于CMOS電路的電源電壓為3~18V，而高速CMOS電路電源電壓為2~6V，因此當(dāng)給集成電路加上2~2.5V的電壓后，若集成電路正常工作，則說明集成電路是高速CMOS電路，否則，此集成電路是CMOS電路。

因此，需要直接反映溫度變化的熱保護(hù)器，如溫度繼電器。溫度繼電器通常將雙金屬片直接埋置在發(fā)熱部位，但考慮到雙金屬片加熱后可能影響穩(wěn)定性，現(xiàn)在部分產(chǎn)品還加入了PTC溫度保護(hù)及負(fù)載端電壓保護(hù)功能，以更全面地保護(hù)電機(jī)安全。