與硅器件相比，GaN器件具有更優(yōu)越的特性，包括更高的開關(guān)速度、更低的漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和更好的熱性能。

較快的開關(guān)速度支持低延時電機響應(yīng)，這對于機器人等需要精密電機控制的應(yīng)用而言至關(guān)重要。

GaN FET還可用于開發(fā)功率更大、效率更高的叉車電機驅(qū)動器。GaN FET具有更高的電流處理能力，因此可用于更大、功率更高的電機。

曲線說明：紫色的電容值最大，紅色的電容值次之，粉色的電容值最小。

電容值越大，諧振頻率越小，電容在較低頻率就會呈現(xiàn)感性，這樣會造成信號高頻分量衰減增大，同樣會使眼高減小，上升沿變緩，jitter增加。

選擇AC耦合電容時要綜合以上兩點考量，一般業(yè)界都推薦0.01uF~0.2uF，最常見的就是0.1uF的電容。對于電容封裝的選擇不建議使用大于0603的封裝，最好是0402的，或者更小。

由于放大器有源電路的影響，低噪聲放大器會產(chǎn)生一些噪聲，噪聲系數(shù)就是表征放大器產(chǎn)生的噪聲。根據(jù)噪聲系數(shù)的Friis公式，第一級放大的噪聲系數(shù)F1確定了整個接收機的最小噪聲系數(shù)。

工程師通過優(yōu)化LNA的噪聲系數(shù)、增益和線性度來提升接收機的靈敏度，從而實現(xiàn)所需的信號質(zhì)量和覆蓋范圍。

8V97003是高性能mmWave寬帶合成器/鎖相環(huán)(PLL),能從集成的壓控振蕩器(VCO)產(chǎn)生高達(dá)18GHz的輸出頻率,提供倍頻程的頻率調(diào)諧范圍.

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