材料和封裝技術(shù)將芯片與散熱片之間熱阻減至更小實現(xiàn)更高功率密度
發(fā)布時間:2024/4/6 15:24:19 訪問次數(shù):103
全碳化硅(SiC)功率模塊系列可為逆變器設(shè)計人員帶來新的機(jī)會,助力實現(xiàn)前所未有的效率和功率密度。
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體用作開關(guān)時,支持更高的工作溫度和開關(guān)頻率,從而提升整體系統(tǒng)效率。
全SiC MOS功率模塊系列擁有不同的配置,如三電平全橋、半橋,具有卓越的柵極氧化可靠性及一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗。
同時可以降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小,從而實現(xiàn)更高的功率密度。
四排板對板連接器。這些連接器采用交錯式電路布局和0.175mm腳距薄型設(shè)計,并且已申請專利,與傳統(tǒng)連接器相比可節(jié)省30%的空間。
此外,該產(chǎn)品遵循標(biāo)準(zhǔn)的0.35mm焊接間距,可加快采用典型表面貼裝技術(shù) (SMT) 工藝的量產(chǎn)速度。依靠器件的內(nèi)部鎧裝和插入模制釘設(shè)計,可避免引腳在量產(chǎn)和裝配過程中損壞,確保這些連接器擁有穩(wěn)定、可靠的性能。
這些特性加上較寬的對齊空間,有助于實現(xiàn)牢固、輕松的插配,并降低掉落率。
它們讓產(chǎn)品開發(fā)人員和設(shè)備制造商能夠更加自由、靈活地支持緊湊的外型尺寸,是增強(qiáng)現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實 (AR/VR)、汽車、通信、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療和可穿戴應(yīng)用的理想選擇。
四排板對板連接器的額定電流為3.0A,能夠以緊湊的外形尺寸傳輸高功率。

全碳化硅(SiC)功率模塊系列可為逆變器設(shè)計人員帶來新的機(jī)會,助力實現(xiàn)前所未有的效率和功率密度。
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體用作開關(guān)時,支持更高的工作溫度和開關(guān)頻率,從而提升整體系統(tǒng)效率。
全SiC MOS功率模塊系列擁有不同的配置,如三電平全橋、半橋,具有卓越的柵極氧化可靠性及一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗。
同時可以降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小,從而實現(xiàn)更高的功率密度。
四排板對板連接器。這些連接器采用交錯式電路布局和0.175mm腳距薄型設(shè)計,并且已申請專利,與傳統(tǒng)連接器相比可節(jié)省30%的空間。
此外,該產(chǎn)品遵循標(biāo)準(zhǔn)的0.35mm焊接間距,可加快采用典型表面貼裝技術(shù) (SMT) 工藝的量產(chǎn)速度。依靠器件的內(nèi)部鎧裝和插入模制釘設(shè)計,可避免引腳在量產(chǎn)和裝配過程中損壞,確保這些連接器擁有穩(wěn)定、可靠的性能。
這些特性加上較寬的對齊空間,有助于實現(xiàn)牢固、輕松的插配,并降低掉落率。
它們讓產(chǎn)品開發(fā)人員和設(shè)備制造商能夠更加自由、靈活地支持緊湊的外型尺寸,是增強(qiáng)現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實 (AR/VR)、汽車、通信、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療和可穿戴應(yīng)用的理想選擇。
四排板對板連接器的額定電流為3.0A,能夠以緊湊的外形尺寸傳輸高功率。

熱門點(diǎn)擊
- 開關(guān)損耗的降低不僅可以有效提升效率還有助于降
- 驅(qū)動器有快速傳播延遲和高峰值拉電流/灌電流能
- CM3A H01閉環(huán)霍爾電流傳感器在多個領(lǐng)域
- 無線與內(nèi)置微處理器兩方面功率效率均很高具有高
- MPLAB代碼配置器中進(jìn)行設(shè)置縮短開發(fā)時間加
- 內(nèi)置的自檢(BIST)功能可檢測各種故障檢測
- 12V直流電升壓到18V給近光燈供電使得車燈
- 8個P核心用于圖形和視頻渲染等要求較高的單線
- IGBT不論單管和模塊通過多項可靠性測試保證
- 電池管理系統(tǒng)需要實時監(jiān)測電池的電流狀態(tài)確保電
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
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