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寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件

發(fā)布時(shí)間:2024/4/6 15:41:32 訪問(wèn)次數(shù):61

控制器提供高性價(jià)比的PCIe轉(zhuǎn)多串并口I/O橋接芯片解決方案。

透過(guò)PCI Express接口,客戶能夠輕松支援多個(gè)串口、并口、SPI或本地總線等接口,以滿足工業(yè)、醫(yī)療和嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品對(duì)I/O接口橋接的市場(chǎng)需求。

AX99100A是一款PCIe轉(zhuǎn)多I/O(4S,2S+1P,2S+SPI,LB)控制器,集成單通道(X1)PCIe 2.0 Gen 1終端控制器與物理層PHY,可支持各種串并口I/O接口橋接功能,包括四個(gè)高速串口、一個(gè)并口、高速SPI主控、本地總線(類(lèi)似ISA)、以及24個(gè)通用輸入/輸出引腳(GPIO)。

AS5911比當(dāng)前常見(jiàn)的CT探測(cè)器專(zhuān)用ADC產(chǎn)品更小,占用空間更少,可集成到各種尺寸的探測(cè)器中,包括四邊可拼接解決方案,這得益于縮減了外部物料清單(BOM)和嵌入式組件。AS5911通過(guò)集成LDO穩(wěn)壓器、參考電壓、溫度傳感器、電源去耦電容器和片上校準(zhǔn)功能,降低了系統(tǒng)復(fù)雜性。  

功耗是AS5911的另一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)。其功耗比市場(chǎng)上的現(xiàn)有產(chǎn)品低,在低功耗模式下,每通道功耗僅為1.25mW。

設(shè)備制造商使用AS5911可以降低多種尺寸CT探測(cè)器模塊的復(fù)雜性,包括四邊可拼接CT探測(cè)器。


全新的750V系列產(chǎn)品是對(duì)Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車(chē)用SiC FET的補(bǔ)充,打造了完整的產(chǎn)品組合,可滿足400V和800V電池架構(gòu)電動(dòng)汽車(chē)的應(yīng)用需求。

這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成設(shè)計(jì)人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾,以助力其應(yīng)對(duì)獨(dú)特的車(chē)輛動(dòng)力挑戰(zhàn)。

第四代SiC FET采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置,將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝,從而制造出具備寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。


8230-4542

控制器提供高性價(jià)比的PCIe轉(zhuǎn)多串并口I/O橋接芯片解決方案。

透過(guò)PCI Express接口,客戶能夠輕松支援多個(gè)串口、并口、SPI或本地總線等接口,以滿足工業(yè)、醫(yī)療和嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品對(duì)I/O接口橋接的市場(chǎng)需求。

AX99100A是一款PCIe轉(zhuǎn)多I/O(4S,2S+1P,2S+SPI,LB)控制器,集成單通道(X1)PCIe 2.0 Gen 1終端控制器與物理層PHY,可支持各種串并口I/O接口橋接功能,包括四個(gè)高速串口、一個(gè)并口、高速SPI主控、本地總線(類(lèi)似ISA)、以及24個(gè)通用輸入/輸出引腳(GPIO)。

AS5911比當(dāng)前常見(jiàn)的CT探測(cè)器專(zhuān)用ADC產(chǎn)品更小,占用空間更少,可集成到各種尺寸的探測(cè)器中,包括四邊可拼接解決方案,這得益于縮減了外部物料清單(BOM)和嵌入式組件。AS5911通過(guò)集成LDO穩(wěn)壓器、參考電壓、溫度傳感器、電源去耦電容器和片上校準(zhǔn)功能,降低了系統(tǒng)復(fù)雜性。  

功耗是AS5911的另一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)。其功耗比市場(chǎng)上的現(xiàn)有產(chǎn)品低,在低功耗模式下,每通道功耗僅為1.25mW。

設(shè)備制造商使用AS5911可以降低多種尺寸CT探測(cè)器模塊的復(fù)雜性,包括四邊可拼接CT探測(cè)器。


全新的750V系列產(chǎn)品是對(duì)Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車(chē)用SiC FET的補(bǔ)充,打造了完整的產(chǎn)品組合,可滿足400V和800V電池架構(gòu)電動(dòng)汽車(chē)的應(yīng)用需求。

這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成設(shè)計(jì)人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾,以助力其應(yīng)對(duì)獨(dú)特的車(chē)輛動(dòng)力挑戰(zhàn)。

第四代SiC FET采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置,將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝,從而制造出具備寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。


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