改進型SOT-223-2L封裝使設計人員利用小型分立器件滿足更高電壓應用
發(fā)布時間:2024/4/6 17:31:12 訪問次數:147
CPC3981Z一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
與標準SOT-223封裝相比，這款新產品的SOT-223-2L封裝去掉了中間引腳。 這將漏極與柵極之間的引腳間距從1.386毫米增加到超過4毫米。 爬電距離延長有利于開關模式電源設備（SMPS）或功率因數校正（PFC）啟動電路等更高電壓應用，因為設計人員可以避免昂貴的保形涂料或灌封。
CPC3981Z的主要區(qū)別在于其改進型SOT-223-2L封裝，使設計人員能夠利用小型分立器件滿足更高電壓應用所需的延長爬電距離。
由于爬電距離更大，CPC3981Z提高了電路的可靠性，并有助于節(jié)約成本。
一套綜合的仿真流程，包含有電源直流分析、電源頻域阻抗分析、去耦電容優(yōu)化、信號拓撲提取、信號互連模型提取和熱分析等多個關鍵應用。
2.5D/3DIC先進封裝電磁仿真工具Metis的仿真性能得到了進一步的提升。
升級后的高速系統仿真套件Expert系列中的其它工具，包括SnpExpert, ViaEpxert, CableExpert, TmlExpert，進一步提高了易用性和用戶體驗，添加了更多內置的模板，以更輕松迅捷地實現S 參數、過孔、電纜、傳輸線的分析評估等。
TLP3475W采用優(yōu)化的封裝設計，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。
降低插入損耗的同時還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz（典型值）——與現有產品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3。
TLP3475W采用厚度僅為0.8mm（典型值）的小巧纖薄的WSON4封裝，是目前業(yè)界最小的光繼電器，其成功的改善了高頻信號傳輸特性。它的厚度比超小型S-VSON4T封裝還薄40%，且支持在同一電路板上貼裝更多產品，將有助于提高測量效率。
CPC3981Z一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
與標準SOT-223封裝相比，這款新產品的SOT-223-2L封裝去掉了中間引腳。 這將漏極與柵極之間的引腳間距從1.386毫米增加到超過4毫米。 爬電距離延長有利于開關模式電源設備（SMPS）或功率因數校正（PFC）啟動電路等更高電壓應用，因為設計人員可以避免昂貴的保形涂料或灌封。
CPC3981Z的主要區(qū)別在于其改進型SOT-223-2L封裝，使設計人員能夠利用小型分立器件滿足更高電壓應用所需的延長爬電距離。
由于爬電距離更大，CPC3981Z提高了電路的可靠性，并有助于節(jié)約成本。
一套綜合的仿真流程，包含有電源直流分析、電源頻域阻抗分析、去耦電容優(yōu)化、信號拓撲提取、信號互連模型提取和熱分析等多個關鍵應用。
2.5D/3DIC先進封裝電磁仿真工具Metis的仿真性能得到了進一步的提升。
升級后的高速系統仿真套件Expert系列中的其它工具，包括SnpExpert, ViaEert, CableExpert, TmlExpert，進一步提高了易用性和用戶體驗，添加了更多內置的模板，以更輕松迅捷地實現S 參數、過孔、電纜、傳輸線的分析評估等。
TLP3475W采用優(yōu)化的封裝設計，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。
降低插入損耗的同時還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz（典型值）——與現有產品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3。
TLP3475W采用厚度僅為0.8mm（典型值）的小巧纖薄的WSON4封裝，是目前業(yè)界最小的光繼電器，其成功的改善了高頻信號傳輸特性。它的厚度比超小型S-VSON4T封裝還薄40%，且支持在同一電路板上貼裝更多產品，將有助于提高測量效率。
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