在單個(gè)MOS的DS、GD、GS、GDS短路等失效條件下，可以保證系統(tǒng)功能正常，阻斷故障點(diǎn)的擴(kuò)大。

但是在單個(gè)MOS的GS和DS開路失效條件下，功率回路斷開，系統(tǒng)可靠關(guān)斷。

雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案在MOS的GS和DS開路失效下，系統(tǒng)的功能異常，在雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案上進(jìn)一步改進(jìn)，將MOS和驅(qū)動(dòng)線路加倍，雙路MOS并聯(lián)在一起，可以保證在MOS的GS和DS開路失效條件下，系統(tǒng)功能正常。

10位具有3.3VDC VREF的ADC將擁有0.0032VDC的電壓步長。

MCP3221是帶兩線串行，和I2C兼容的接口的逐次逼近12位ADC。用MCP3221在400KHz時(shí)鐘速率的快轉(zhuǎn)換模式下，有可能得到的最高取樣速率為22.3K次/秒。

低等待速率和低轉(zhuǎn)換電流使MCP3221適合用在以電池為能源的地方。

采用MCP3221，設(shè)計(jì)者可使用I2C總線和多達(dá)8個(gè)不同器件的地址，這使他能通過改變地址來讀取另外器件的數(shù)據(jù)，從而簡(jiǎn)化了代碼。I2C接口是標(biāo)準(zhǔn)的控制總線，可用在需要和外設(shè)IC通信的地方。

提供抖動(dòng)噪聲的更佳方法是將熱敏電阻分壓器的Vcc和VREF.分開（將MCU的內(nèi)部VREF用于ADC）。

目標(biāo)市場(chǎng)包括智能手機(jī)和筆記本電腦的快充充電器，包括一體機(jī)、電視、家庭網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)化設(shè)備。GaNSense技術(shù)已被用于部分一線消費(fèi)電子品牌的氮化鎵充電器上。

已經(jīng)有超過3000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨，在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試實(shí)現(xiàn)了超過1160億個(gè)設(shè)備小時(shí)，并且沒有任何關(guān)于GaN現(xiàn)場(chǎng)故障的報(bào)告。

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