MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過程,流過的電流有一個(gè)上升的過程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失時(shí)電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。

不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣點(diǎn)電流就會在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗，現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫伏左右，幾豪歐的也有。

導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也很大�？s短開關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失，降低開關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。

對MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。

MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指這兩種。

至于為什么不適用號耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

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