底部電極和側面的部分L形狀使其尤為適合高密度表面貼裝
發(fā)布時間:2024/4/10 19:46:45 訪問次數(shù):70
DDR5 RCD03芯片支持高達6400 MT/s的數(shù)據(jù)速率,相較第二子代提升14.3%,相較第一子代提升33.3%。
與DDR4世代的RCD產(chǎn)品相比，該款芯片采用雙通道架構，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節(jié)電模式，功耗顯著降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256GB。
在DDR5 RCD03芯片的研發(fā)和試產(chǎn)上均保持行業(yè)領先。瀾起將繼續(xù)與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5服務器大規(guī)模商用。
PLEA85系列的尺寸僅為1.0毫米(長)x0.8毫米(寬)x 0.55毫米（高），可幫助工程師實現(xiàn)小型化設計，充分發(fā)揮CSP等低剖面IC的優(yōu)勢。底部電極和側面的部分L形狀使其尤為適合高密度表面貼裝，有助于抑制安裝過程中發(fā)生的錯位問題，并提高端子強度，進而打造出更加穩(wěn)固的終端產(chǎn)品。
性能和密度更高的可穿戴設備，因而市場對更薄、更輕、更小的電子元件的需求也將隨之增加。
為了滿足市場需求，TDK將進一步擴大其高效、小型化、低剖面電感器產(chǎn)品陣容，為電源電路提供關鍵元件。
DDR5內存技術和生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展的前沿，支持可靠和可擴展的行業(yè)標準。
IT7800/7900/7900P拓展了E機型，在3U的有限空間里面，功率輸出提升到了21kVA，對比傳統(tǒng)交流電源，大大節(jié)約了測試空間，進一步提升性價比，為用戶提供了更具競爭力的大功率測試方案。
深圳市維基鴻電子有限公司http://wjydz01.51dzw.com
DDR5 RCD03芯片支持高達6400 MT/s的數(shù)據(jù)速率,相較第二子代提升14.3%,相較第一子代提升33.3%。
與DDR4世代的RCD產(chǎn)品相比，該款芯片采用雙通道架構，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節(jié)電模式，功耗顯著降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256GB。
在DDR5 RCD03芯片的研發(fā)和試產(chǎn)上均保持行業(yè)領先。瀾起將繼續(xù)與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5服務器大規(guī)模商用。
PLEA85系列的尺寸僅為1.0毫米(長)x0.8毫米(寬)x 0.55毫米（高），可幫助工程師實現(xiàn)小型化設計，充分發(fā)揮CSP等低剖面IC的優(yōu)勢。底部電極和側面的部分L形狀使其尤為適合高密度表面貼裝，有助于抑制安裝過程中發(fā)生的錯位問題，并提高端子強度，進而打造出更加穩(wěn)固的終端產(chǎn)品。
性能和密度更高的可穿戴設備，因而市場對更薄、更輕、更小的電子元件的需求也將隨之增加。
為了滿足市場需求，TDK將進一步擴大其高效、小型化、低剖面電感器產(chǎn)品陣容，為電源電路提供關鍵元件。
DDR5內存技術和生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展的前沿，支持可靠和可擴展的行業(yè)標準。
IT7800/7900/7900P拓展了E機型，在3U的有限空間里面，功率輸出提升到了21kVA，對比傳統(tǒng)交流電源，大大節(jié)約了測試空間，進一步提升性價比，為用戶提供了更具競爭力的大功率測試方案。
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